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英飞凌300毫米薄晶圆功率半导体工厂启动运营 投资16亿欧元
 评论 ⋅  2021-09-17 17:52
IC Insights：中国大陆今年晶圆产能将首次超过日本
 评论 ⋅  2021-09-17 17:29
总投资近20亿美元，一批集成电路产业项目签约江苏昆山
 评论 ⋅  2021-09-17 16:55
晶圆代工竞争白热化，设备迎来大机遇
 评论 ⋅  2021-09-17 16:53
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏：用于新型GaN功率器件的外延技术进展
 评论 ⋅  2021-09-17 16:39
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
 评论 ⋅  2021-09-17 16:33
【CASICON 2021】安徽芯塔电子科技倪炜江：高性能高压SiC器件设计与技术
 评论 ⋅  2021-09-17 16:12
【CASICON 2021】奥趋光电吴亮：AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
 评论 ⋅  2021-09-17 15:58
【CASICON 2021】中电科五十五所刘强：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
 评论 ⋅  2021-09-17 15:28
国务院副总理韩正：加快车用芯片、操作系统等关键技术研发和产业化
 评论 ⋅  2021-09-16 23:21
Cree | Wolfspeed将于10月4日在美国纽交所上市，并变更公司名称
CreeWolfspeed美国纽交所上市
 评论 ⋅  2021-09-16 23:00
香港航天科技拟与中科院上海微系统所合作推进宇航级芯片的空间测试
 评论 ⋅  2021-09-16 17:22
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺：基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】厦门大学梅洋：氮化镓基VCSEL技术进展
 评论 ⋅  2021-09-16 14:44
【CASICON 2021】唐晶量子龚平：6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:32
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
 评论 ⋅  2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：氧化镓功率器件制备与封装技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:53
【CASICON 2021】北京大学杨学林：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 评论 ⋅  2021-09-16 11:46
IDC：预计今年半导体市场将增长17.3% IC短缺将在四季度持续缓解
 评论 ⋅  2021-09-16 11:43
澳国立大学研发“世界上最薄”的半导体
 评论 ⋅  2021-09-16 11:41
【CASICON 2021】南砂晶圆彭燕：碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
 评论 ⋅  2021-09-16 11:32
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯：硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】南京航空航天大学张之梁：1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
 评论 ⋅  2021-09-16 11:17
三星为美国新芯片厂选址
 评论 ⋅  2021-09-16 10:49
康佳盐城存储芯片封测项目或进入全面竣工阶段
 评论 ⋅  2021-09-16 10:46
Yole：汽车半导体格局或被重塑
 评论 ⋅  2021-09-16 10:39
万钢：启航新征程，勇当高水平科技自立自强排头兵
万钢启航新征程勇当高水平科技自立自强排头兵
 评论 ⋅  2021-09-15 22:25
CASICON 2021：2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会最新看点
CASICON2021南京功率射频半导体技术市场应用峰会第三代半导体氮化镓碳化硅
 评论 ⋅  2021-09-15 18:04
思朗科技处理器及超算芯片研发中心项目正式签约落地临港新片区
 评论 ⋅  2021-09-15 17:56
外媒：格芯投资60亿美元扩产
 评论 ⋅  2021-09-15 17:19
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