DB HiTek 将采用硅基氮化镓技术改进 8 英寸半导体工艺

日期:2022-01-05 阅读:430
核心提示:GaN 是下一代半导体材料,可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。
 近日,韩国晶圆代工厂商 DB HiTek 通过在硅晶圆片上制作由氮化镓 (GaN) 材料制成的薄膜来生产半导体芯片,该技术能够响应通信设备、电动汽车充电器和太阳能转换器等快速增长的市场。
 
据韩媒 etnews 报道,GaN 是下一代半导体材料,可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。DB HiTek 将生产基于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 技术的 8 英寸半导体,该技术预计可以通过提高半导体制造的竞争力来简化晶片加工以增强盈利能力。
 
据了解,DB HiTek 预计今年将利用其忠北工厂来应对 8 英寸市场,该公司计划通过充分利用忠北的 Sangwoo fab 产能或进行额外投资来满足对电动汽车和电动设备等 8 英寸半导体的需求。
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