新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
天岳先进
长电科技
华为
晶盛机电
产业基地
芯
半导体
赛微电子
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
产业
>
企业动态
0
微博
Qzone
微信
DB HiTek 将采用硅基氮化镓技术改进 8 英寸半导体工艺
日期:2022-01-05
阅读:452
核心提示:GaN 是下一代半导体材料,可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。
近日,韩国晶圆代工厂商 DB HiTek 通过在硅晶圆片上制作由氮化镓 (GaN) 材料制成的薄膜来生产半导体芯片,该技术能够响应通信设备、电动汽车充电器和太阳能转换器等快速增长的市场。
据韩媒 etnews 报道,GaN 是下一代半导体材料,可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。DB HiTek 将生产基于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 技术的 8 英寸半导体,该技术预计可以通过提高半导体制造的竞争力来简化晶片加工以增强盈利能力。
据了解,DB HiTek 预计今年将利用其忠北工厂来应对 8 英寸市场,该公司计划通过充分利用忠北的 Sangwoo fab 产能或进行额外投资来满足对电动汽车和电动设备等 8 英寸半导体的需求。
标签:
DB
HiTek
硅基
氮化镓
8英寸
半导体工艺
打赏
0
条评论
大富科技拟1亿元受让安徽云塔20%股权
华润微电子与华南理工大学共建射频微电子技术联合实验室
半导体设备商屹唐股份正式登陆科创板,市值达774亿元
罗姆碳化硅 MOSFET 裸芯片获丰田 bZ5 电动汽车牵引逆变器应用
安徽格恩半导体申请氮化镓基半导体激光器元件专利,提升限制因子
ROHM 回应合作方台积电计划 2027 年退出氮化镓:暂无重大影响
研微半导体完成A轮首批数亿元融资,累计融资额近10亿
加速智能化!国星光电推出超薄高耐压光耦新品
北方华创发布12英寸先进低压化学气相硅沉积立式炉设备
Wolfspeed推出新型顶部散热(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗
联系客服
投诉反馈
顶部