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纳微氮化镓(
GaN
)半桥功率芯片专利布局解读
东南大学牵头起草的《分立
GaN
HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
简述纳微
GaN
Sense技术及专利布局
华微电子:积极布局以SiC和
GaN
为代表的宽禁带半导体器件技术
格芯获得 3000 万美元政府资金用于氮化镓
GaN
芯片生产
东南大学牵头起草《分立
GaN
HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
简述使用不同类型
GaN
FET 设计提高系统设计功率密度
东南大学牵头起草《分立
GaN
HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
台积电积极布局第三代半导体,二代硅基
GaN
技术平台年内完成
宏光半导体获协鑫朱共山入股 携手发展第三代半导体
GaN
业务
芯导科技:第三代半导体650V
GaN
HEMT产品预计今年可实现量产
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑
GaN
衬底上的高性能常关型P
GaN
栅极HEMT
东南大学牵头起草《分立
GaN
HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
第三代半导体氮化镓(
GaN
)产业剖析
SK Siltron 计划成立合资公司开发 SiC和
GaN
芯片
宏光半导体携手协鑫集团 布局
GaN
功率芯片在新能源领域应用
金刚石在
GaN
功率放大器热设计中的应用
Wolfspeed:
GaN
HEMT 大信号模型
上海福赛特:打造中国领先的LED/
GaN
半导体AMHS设备提供商
住友化学合并
GaN
衬底子公司Sciox
芯导科技:已经成功推出几款
GaN
产品
闻泰科技:公司在第三代化合物半导体方面布局了
GaN
与SiC
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质
GaN
晶体
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬开关电路的
GaN
HEMT动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
6英寸高品质
GaN
晶体最新进展
在纳米图案化蓝宝石衬底(NPSS)上实现Al
GaN
基高效多量子阱的生长
GaN
基紫外半导体激光器
宇腾科技光电新材料
GaN
项目试车成功
限时回放|强芯沙龙第二期精彩不容错过!大咖做客畅聊
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功率半导体的现在与未来
技术分享 |
GaN
器件驱动及简化栅极驱动设计的方法
第
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页/共
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