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简述金刚石在
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功率放大器热设计中的应用
英诺赛科发布两款 40V V
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新品,均采用WLCSP封装
标准 | 《Sub-6GHz
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射频产品可靠性筛选和验收方法》等5项团体标准形成征求意见稿
英诺赛科V
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助力一加Ace2发布,打造全新快充体验
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗
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功率器件
简述HVPE 法
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单晶掺杂研究新进展
Yole:2027年功率
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器件市场价值或达20 亿美元,预期年复合增长率高达 59%
英飞凌收购
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Systems,留给竞争对手的时间不多了!
重磅收购!英飞凌57亿元收购氮化镓初创公司
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Systems
厦门大学副教授高娜:基于超短周期超晶格AlN/
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的深紫外短波光发射调控
简述
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功率器件应用可靠性增长研究
铖昌科技新产品
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功率放大器芯片已实现规模应用
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微波单片集成电路MPW流片加工延期公告
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IDM高新技术企业英诺赛科携产品将亮相IFWS&SSLCHINA 2022
晶方科技完成对
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器件设计公司VisIC投资
简述选择
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或SiC器件的重点
中科潞安牵头大功率深紫外Al
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基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
赛微电子已具备6-8英寸
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外延材料生长能力 正在推动山东
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产线建设
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底
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基纵向功率器件
CASA发布《分立
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HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
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)电源转换产品供货商Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室
GaN
衬底研发获新突破!
国博电子:积极布局以
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为代表的第三代化合物半导体领域
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功率半导体的2023预测
河工大张紫辉团队在
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基Micro-LED方面获得新进展
浅述
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功率器件的发展
中镓半导体:挑战最高
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体电阻率,开发更高电阻率的半绝缘
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自支撑衬底
东南大学牵头起草的《分立
GaN
HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
标准 | CASA立项《射频
GaN
HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
北京交大科研团队提出
GaN
器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
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