成果领域：电子信息
成果名称 ：增强型GaN电力电子器件
成果简介： 为了获得增强型GaN HEMT器件，目前采用的方法包括槽栅技术、氟离子注入、P-GaN技术等，这些技术都会用到刻蚀技术，从而对沟道中的2DEG产生较大影响，影响器件性能。为了避免这种弊端，本技术利用新颖的二次生长方式来构造新型的AlGaN/GaN异质结沟道，保证了沟道2DEG迁移率，从而获得更优的器件性能。新颖的二次生长技术借助介质墙技术，工艺难度小。自由组合的零偏压有2DEG部位和无2DEG部位，为器件的设计提供了很大的灵活性。
是一项实用性高的低成本技术。
持有人介绍：董志华，杭州电子科技大学电子信息学院高工，本科毕业于山东大学，博士毕业于北京大学，中科院苏州纳米所博士后，主要研究方向为宽禁带半导体器件和电路，博士后在站期间实现了国内首支增强型Si衬底AlGaN/GaN功率开关器件。获得国内发明专利11项，美国授权专利2项，发表SCI索引论文10余篇。
成果相关知识产权：
科研项目：国家自然科学基金青年基金项目61306100 GaN电力电子器件钝化关键技术研究
来源：杭电科研
