科技成果推介|增强型GaN电力电子器件

日期:2024-06-12 阅读:253
核心提示:成果领域:电子信息成果名称:增强型GaN电力电子器件成果简介:为了获得增强型GaN HEMT器件,目前采用的方法包括槽栅技术、氟离

成果领域:电子信息

成果名称 :增强型GaN电力电子器件

成果简介: 为了获得增强型GaN HEMT器件,目前采用的方法包括槽栅技术、氟离子注入、P-GaN技术等,这些技术都会用到刻蚀技术,从而对沟道中的2DEG产生较大影响,影响器件性能。为了避免这种弊端,本技术利用新颖的二次生长方式来构造新型的AlGaN/GaN异质结沟道,保证了沟道2DEG迁移率,从而获得更优的器件性能。新颖的二次生长技术借助介质墙技术,工艺难度小。自由组合的零偏压有2DEG部位和无2DEG部位,为器件的设计提供了很大的灵活性。

是一项实用性高的低成本技术。

持有人介绍:董志华,杭州电子科技大学电子信息学院高工,本科毕业于山东大学,博士毕业于北京大学,中科院苏州纳米所博士后,主要研究方向为宽禁带半导体器件和电路,博士后在站期间实现了国内首支增强型Si衬底AlGaN/GaN功率开关器件。获得国内发明专利11项,美国授权专利2项,发表SCI索引论文10余篇。

成果相关知识产权:

 

科研项目:国家自然科学基金青年基金项目61306100    GaN电力电子器件钝化关键技术研究 

来源:杭电科研

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