丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底

日期:2024-03-11 阅读:241
核心提示:3月8日,据日媒报道,大阪大学、丰田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN衬底开发项目取得了新进展,已成功制备高质量6英寸

 3月8日,据日媒报道,大阪大学、丰田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN衬底开发项目取得了新进展,已成功制备高质量6英寸GaN衬底。

据介绍,丰田合成借助了大阪大学新开发的技术成功制备缺陷密度为104/ cm2的6英寸GaN衬底,该技术结合了Na助焊剂法和多点晶种法,兼具高质量及易扩径的优点。此外,以该技术为基础,他们已开发了兼容8英寸或更大尺寸的晶体生长设备,用于未来进一步开发大尺寸衬底。

但是,在使用该技术制备GaN衬底时,一个晶体生长大约需要一个月的时间,并不适用于大规模生产。因此丰田合成等正在建立一种高产的大规模生产技术,将结合其他晶体生长技术提升生产力。

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