3月8日，据日媒报道，大阪大学、丰田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN衬底开发项目取得了新进展，已成功制备高质量6英寸GaN衬底。
据介绍，丰田合成借助了大阪大学新开发的技术成功制备缺陷密度为104/ cm2的6英寸GaN衬底，该技术结合了Na助焊剂法和多点晶种法，兼具高质量及易扩径的优点。此外，以该技术为基础，他们已开发了兼容8英寸或更大尺寸的晶体生长设备，用于未来进一步开发大尺寸衬底。
但是，在使用该技术制备GaN衬底时，一个晶体生长大约需要一个月的时间，并不适用于大规模生产。因此丰田合成等正在建立一种高产的大规模生产技术，将结合其他晶体生长技术提升生产力。
