据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种基于GaN与碳纳米管的CMOS逻辑电路及其制备方法“，公开号CN117238958A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于GaN与碳纳米管的CMOS逻辑电路及其制备方法。所述CMOS逻辑电路由制备在同一个芯片上的GaN n型晶体管和碳纳米管p型晶体管组成，在衬底上依次层叠缓冲层、电子导电沟道层和势垒层，GaN n型晶体管的源极、漏极和栅极结构位于势垒层上，栅极位于栅极结构上，GaN n型晶体管上覆盖钝化层；碳纳米管p型晶体管包括碳纳米管沟道及其两端的漏极和源极，在碳纳米管沟道上依次为其栅介质层和栅极；碳纳米管p型晶体管位于GaN n型晶体管侧面或者上方的钝化层上。本发明的CMOS逻辑电路饱和电流密度大，工作速度高，可以作为GaN功率器件的外围电路，实现单片集成，有效解决目前Si电路带来的片间寄生电感问题，从而充分发挥出GaN功率器件的性能优势。
（来源：金融界）
