首页 > 新闻资讯 > 搜索
南京电子器件研究所张凯：大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
 评论 ⋅  2021-12-14 14:46
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
中山大学江灏：利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:01
郑州大学Mussaab I. Niass：蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:04
挪威科学院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作为透明导电衬底的AlGaN纳米线UV LED
 评论 ⋅  2021-12-10 15:38
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
第三代半导体产业乘风破浪，谁将会傲立潮头？
第三代半导体氮化镓碳化硅GaN衬底Micro-LEDCOBMiniCOB
 评论 ⋅  2021-11-30 21:05
功率半导体：新能源需求引领，行业快速发展
SiCGaN第三代半导体功率半导体
 评论 ⋅  2021-11-26 12:05
国星光电：公司Micro LED芯片实现小批量供货 已开展GaN功率器件研发工作
 评论 ⋅  2021-11-25 16:13
IFWS 2021前瞻：中科院半导体研究所副所长张韵将出席射频电子器件与应用论坛
中科院半导体研究所副所长张韵亚毫米波段GaN基HEMT
 评论 ⋅  2021-11-22 15:53
苏州纳米所孙钱团队在硅衬底GaN基纵向功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2021-11-05 17:25
闻泰科技：安世半导体推出领先性能的氮化镓功率器件 (GaN FET)
 评论 ⋅  2021-11-05 17:24
GaN快充将于2025年占领一半市场
 评论 ⋅  2021-11-04 14:28
晶湛半导体8寸GaN项目开建
 评论 ⋅  2021-11-03 15:42
第三代半导体为什么这样火？4 张图秒懂GaN、SiC 关键技术
 评论 ⋅  2021-10-29 19:38
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
预估2025年GaN于快充市场渗透率将达到52％
 评论 ⋅  2021-10-26 17:04
千呼万唤始出来的苹果GaN快充，拉开下一个GaN爆点的序幕
 评论 ⋅  2021-10-21 13:44
华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术
 评论 ⋅  2021-10-20 15:58
苹果上架首款GaN充电器，售价729元
 评论 ⋅  2021-10-20 15:11
英诺赛科邹艳波：All-GaN系列方案在快充领域的应用
 评论 ⋅  2021-10-11 15:29
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部