国星光电:公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等

日期:2021-12-24 来源:半导体产业网阅读:480
核心提示:国星光电:公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等
12月24日,有投资者向国星光电(002449)提问, 请问公司的分立器件应用于新能源汽车嘛?
 
公司回答表示,您好,公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等。

12月8日,国星光电(002449.SZ)在投资者互动平台表示,国星光电第三代半导体产品预计年底前实现小批量产;国星光电推出的SiC功率器件、功率模块和GaN-DFN器件3大系列第三代半导体新产品,SiC功率器件可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域;GaN-DFN器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等;功率模块可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域。
 
同时,其补充到,国星光电产品能达到欧洲CE认证标准。
 
而针对于是否涉及智能传感器方面产品这一问题,国星光电表示,国星光电推出基于传感技术的新品——智能健康感测器件,可广泛应用于智能手表、智能手环、VR等设备场景,该智能健康感测器件已实现量产,并积极与国内外品牌厂商联手合作,共同发力可穿戴设备领域。

国星光电推出第三代半导体系列新产品

目前,国星光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。国星光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业,坚定高性能、高可靠性、高品质的产品路线。
 
●SiC功率器件
 
国星光电SiC功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;拥有4种封装结构(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
 
●GaN-DFN器件
 
国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总成本的同时,工作频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
 
●功率模块
 
国星光电第三代半导体功率模块,采用自主创新的架构及双面高效散热设计,具有优越的电性能和热性能,杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势,其功率密度大,产品体型小,可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域,满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
 
为做好技术储备积累,满足市场需求,2020年国星光电便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。目前,国星光电第三代半导体新品已正式推出,其中,TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段,并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。
 
与此同时,公司产品已送至第三方有资质的机构,正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
 
未来,在国家“十四五”规划的伟大蓝图下,国星光电定将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化,为国家战略安全、为第三代半导体国产化贡献力量。

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