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半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获
进展
比亚迪半导体IPO
进展
“神速”,已获深交所受理
青铜剑第三代半导体产业基地项目最新
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专利被宣告无效!鉴定结果显示不侵权!歌尔敏芯专利战最新
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官宣投产!露笑科技,山东国宏中能碳化硅项目新
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东京大学公路充电系统研发最新
进展
48家科创板上市企业公布股权激励
进展
中芯国际、利扬芯片等在列
中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要
进展
中电南方国基集团李士颜:功率碳化硅MOSFET芯片及模块研究
进展
及应用
中电南方国基集团
李士颜
功率
碳化硅
MOSFET
芯片
模块
晶湛半导体陈宇超:应用于功率器件的GaN外延片
进展
苏州
晶湛半导体
科技
陈宇超
功率器件
硅基GaN
外延片
三安光电发布2020年报、1Q21季报,透露了诸多新
进展
!
三安光电
2020年报
1Q
21季报
三安集成
氮化镓
砷化镓
微波射频
电力电子
英诺赛科邹艳波:GaN快充技术趋势及
进展
英诺赛科
邹艳波
GaN
快充技术
北大信科院在高端芯片领域取得重要
进展
半导体项目新
进展
:天达晶阳、同光晶体、卓胜微、汉天下、鑫佳元半导体、北方集成电路技术创新中心、力积电等最新动态
天达晶阳
同光晶体
卓胜微
汉天下
鑫佳元半导体
北方集成电路
力积电
即将首发上会,复旦微电子科创板IPO最新
进展
首发
上会
复旦微电子
科创板
IPO
国内部分半导体项目新
进展
:签约、开工、增资、扩产、投产......
增资
签约
扩产
投产
半导体
项目
新进展
新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究
进展
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得
进展
微电子所
氮化镓
界面态
湖南三安第三代半导体项目最新
进展
来了
中电科55所李士颜博士:碳化硅功率MOSFET研究
进展
英诺赛科谢文元:八英寸硅基氮化镓产业化
进展
南方科技大学于洪宇:Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究
进展
西安交通大学李强:磁控溅射沉积hBN薄膜的最新
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南方科技大学汪青:Si基GaN射频器件的关键技术研究
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中电化合物半导体唐军:SiC基GaN射频材料热阻研究
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南砂晶圆彭燕:SiC单晶材料及产业化
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中微公司副总裁郭世平:AMEC用于绿色和蓝色Mini/Micro-LED的MOCVD开发新
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厦门三安光电张中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新
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南方科技大学孙小卫:量子点显示技术研究
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国星光电章金惠:从Mini到Micro LED技术演变的思考、问题及
进展
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