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中科院上海微系统所程新红研究员将出席南京功率与射频应用峰会，将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术进展”
中科院上海微系统所程新红研究员南京功率射频应用峰会，SOIGaN材料功率器件集成技术
 评论 ⋅  2021-09-03 15:32
电子科技大学教授邓小川将出席南京功率与射频应用峰会 分享极端应力下SiC MOSFET器件动态可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-03 15:30
半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2021-08-24 15:15
Si基GaN 射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-08-11 14:21
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
 评论 ⋅  2021-08-03 15:24
比亚迪半导体IPO进展“神速”，已获深交所受理
 评论 ⋅  2021-07-08 14:55
青铜剑第三代半导体产业基地项目最新进展
 评论 ⋅  2021-07-06 17:38
专利被宣告无效！鉴定结果显示不侵权！歌尔敏芯专利战最新进展
 评论 ⋅  2021-07-05 09:54
官宣投产！露笑科技，山东国宏中能碳化硅项目新进展
 评论 ⋅  2021-06-30 10:17
东京大学公路充电系统研发最新进展
 评论 ⋅  2021-06-21 15:07
48家科创板上市企业公布股权激励进展 中芯国际、利扬芯片等在列
 评论 ⋅  2021-06-15 15:11
中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要进展
 评论 ⋅  2021-05-21 10:46
中电南方国基集团李士颜：功率碳化硅MOSFET芯片及模块研究进展及应用
中电南方国基集团李士颜功率碳化硅MOSFET芯片模块
 评论 ⋅  2021-04-27 17:01
晶湛半导体陈宇超：应用于功率器件的GaN外延片进展
苏州晶湛半导体科技陈宇超功率器件硅基GaN外延片
 评论 ⋅  2021-04-27 16:49
三安光电发布2020年报、1Q21季报，透露了诸多新进展！
三安光电2020年报1Q21季报三安集成氮化镓砷化镓微波射频电力电子
 评论 ⋅  2021-04-27 14:06
英诺赛科邹艳波：GaN快充技术趋势及进展
英诺赛科邹艳波GaN快充技术
 评论 ⋅  2021-04-26 17:30
北大信科院在高端芯片领域取得重要进展
 评论 ⋅  2021-04-01 16:52
半导体项目新进展：天达晶阳、同光晶体、卓胜微、汉天下、鑫佳元半导体、北方集成电路技术创新中心、力积电等最新动态
天达晶阳同光晶体卓胜微汉天下鑫佳元半导体北方集成电路力积电
 评论 ⋅  2021-03-31 19:07
即将首发上会，复旦微电子科创板IPO最新进展
首发上会复旦微电子科创板IPO
 评论 ⋅  2021-03-26 16:41
国内部分半导体项目新进展：签约、开工、增资、扩产、投产......
增资签约扩产投产半导体项目新进展
 评论 ⋅  2021-03-22 13:52
新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究进展
 评论 ⋅  2021-03-08 16:56
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
微电子所氮化镓界面态
 评论 ⋅  2021-01-18 08:31
湖南三安第三代半导体项目最新进展来了
 评论 ⋅  2021-01-15 15:45
中电科55所李士颜博士：碳化硅功率MOSFET研究进展
 评论 ⋅  2020-12-17 17:54
英诺赛科谢文元：八英寸硅基氮化镓产业化进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:26
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
西安交通大学李强:磁控溅射沉积hBN薄膜的最新进展
 评论 ⋅  2020-12-14 17:38
南方科技大学汪青：Si基GaN射频器件的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:08
中电化合物半导体唐军：SiC基GaN射频材料热阻研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:01
南砂晶圆彭燕：SiC单晶材料及产业化进展
 评论 ⋅  2020-12-09 16:05
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