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机构预计今年全球智能手机出货量同比增长5.5% 5G占40%
新一代 SiC 功率 MOSFET 器件
研究
进展
半导体行业联名“上书”要补贴 呼吁拜登为半导体制造
研究
提供资金
半导体
行业
补贴
拜登
半导体制造
资金
我国在氮化镓界面态
研究
方面取得重大突破
微电子所在氮化镓界面态
研究
方面取得进展
微电子所
氮化镓
界面态
功率半导体行业
研究
:景气向上,国产化替代正当时
中电科55所李士颜博士:碳化硅功率MOSFET
研究
进展
深圳第三代半导体
研究
院杨安丽:抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
华北电力大学李学宝:高压SiC器件中的封装绝缘问题
研究
浙江大学任娜:SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的
研究
中山大学黎城朗:凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响
研究
中国空间技术
研究
院北京卫星制造厂郑岩:宽禁带功率器件的宇航应用技术
中科院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所周宇:硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
南方科技大学于洪宇:Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术
研究
进展
中国电科十三所王元刚:高性能Ga2O3,SBD功率器件
研究
上海光学精密机械
研究
所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
中科院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所吴林枫:基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
中兴通讯蔡小龙:针对5G基站中射频氮化镓HEMT的失效分析
研究
南方科技大学汪青:Si基GaN射频器件的关键技术
研究
进展
中电化合物半导体唐军:SiC基GaN射频材料热阻
研究
进展
河北半导体
研究
所周幸叶:紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
中科院宁波材料技术与工程
研究
所郭炜:铝镓氮深紫外量子阱及LED,斜切角衬底及横向极性畴的影响
研究
中科院半导体
研究
所
研究
员闫建昌:氮化物深紫外LED研发方向,从二维材料到纳米结构
研究
报告:半导体深度
研究
报告之模拟芯片
南方科技大学孙小卫:量子点显示技术
研究
进展
北京大学陈志忠:Micro-LED大注入条件下的多体效应
研究
电子科技大学刘成艺:n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt欧姆接触电极在空气中高温退火处理的失效机理
研究
佛山市香港科技大学赵惠珊:PWM脉冲驱动模式下UVLED动态结温的无量纲化拟合
研究
中国科学院特聘
研究
员李晋闽:“新冠疫情”下紫外LED产业发展机遇与趋势
第三代半导体发展
研究
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