确认!美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心助理教授张宇昊将分享三大主题报告,期待9月13-14日南京功率与射频半导体峰会见!

日期:2021-09-02     来源:半导体产业网    
核心提示:2021年9月13-14日,美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授张宇昊博士确认
 2021年9月13-14日,美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授张宇昊博士确认参加“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会”,并现场分享三个重量级报告。
 

张宇昊 博士
美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心助理教授
 
张宇昊现在是美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授,并领导该中心的器件和功率半导体研究。该中心由FredLee创立,现得到超过80家公司的资助,拥有电力电子领域基于高校的最大的产业联盟之一。
 
张宇昊于2013年和2017年在麻省理工学院分别获得硕士及博士学位,并于2011年在北京大学物理系获得本科学位。其研究兴趣包括功率器件、宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件封装、以及电力电子应用。张宇昊已发表文章90余篇,涵盖多个领域(IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等),并有4个已经授权的美国专利。
 
张宇昊获得2017年麻省理工学院Microsystems Technology Laboratories最佳博士论文奖、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳论文奖)、2020年IEDM Conference Highlight荣誉、2021年美国National Science Foundation CAREER奖、2021年弗吉尼亚理工优秀助理教授奖。其博士生获得2021 APEC最佳报告奖、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士论文奖等奖项。其工作被Nature Electronics, Semiconductor Today, Compound Semiconductor Magazine等媒体报道50余次。
 
本次张宇昊博士能出席“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会”确实机会难得,组委会沟通后,张宇昊博士将一连分享三个主题报告,报告主题如下:
 
报告题目#1:Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
 
简介:在电力电子系统中,负载端的浪涌能量以及串联开关的电压分配不均常常造成器件在开关过程中承受超过额定电压的瞬态过压。功率器件在开关过程中承受反复瞬态过压的能力是其鲁棒性的关键指标之一。本工作创新性地研究了商用碳化硅和氮化镓器件在反复过压开关中的鲁棒性,包括失效和老化过程及机理。
 
报告题目#2:1.2-10 kV GaN Power Devices: Exceeding SiC Limits
 
简介:近些年来,氮化镓成为了主流的功率半导体之一。氮化镓高电子迁移率晶体管已经实现了15 V到650 V电压等级的商用化。然而,对于650 V到10 kV的中高压电力电子应用(电动汽车动力系统,电网,新能源,高铁等),人们常常认为碳化硅相比于氮化镓更有优势。我们近期关于高压氮化镓功率器件的研究结果推翻了这一观点。
 
报告题目#3:Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3  Devices
 
简介:氧化镓是一种新兴的超宽禁带半导体材料,其晶圆已实现大面积商业化生产。因而近来,氧化镓功率器件受到了极大的关注。当前,氧化镓器件所面临的最大的挑战之一是氧化镓材料极低的电阻率(碳化硅的1/20)以及所导致的器件功率密度的限制。另外一方面,作为通向应用的必经之路,大电流氧化镓器件的制备、封装和应用还极少有报道。我们近期首次实现了大面积氧化镓器件的制成和封装,并首次报道了大电流、封装的氧化镓器件的稳态和瞬态热学性能。我们制备了大电流垂直结构氧化镓肖特基二极管,并采用了基于银烧结的双面封装技术。
 
至此,会务组也诚挚欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位能参会与张宇昊博士多多交流!更多会议资料请往下查看:
 
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【组织机构】
 
指导单位
南京大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
 
主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
 
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

赞助支持单位 
蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
爱发科商贸(上海)有限公司
宁波恒普真空技术有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
青岛聚能创芯微电子有限公司
德仪国际贸易(上海)有限公司
大族激光显示与半导体装备事业部
上海翱晶半导体科技有限公司
上海智湖信息技术有限公司
芜湖启迪半导体有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
赞助企业LOGO图
 
【时间地点】
 时间:2021年9月13-14日
地点:南京·城市名人酒店(江苏省南京市鼓楼区中山北路30号)

【会议安排】
【报告嘉宾&主题报告】

1、9月13日报告(陆续更新中)
报告嘉宾:于坤山 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长
主题报告:中国功率与射频技术市场现状及未来展望

报告嘉宾:
陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
主题报告:低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件

报告嘉宾:陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授   
主题报告:GaN功率开关器件及其高频电源应用
 
报告嘉宾:刘斯扬--东南大学教授
主题报告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展

报告嘉宾:
龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
主题报告:低成本高性能氧化镓功率器件

报告嘉宾:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主题报告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective

报告嘉宾:戴小平-湖南国芯科技总经理
主题报告浅析SiC模块封装技术

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员
主题报告1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit  

报告嘉宾:龚平--西安唐晶量子科技有限公司董事长
主题报告6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术

报告嘉宾:纽应喜--启迪半导体研发总监
主题报告碳化硅外延装备及技术进展

报告嘉宾:张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
主题报告新能源汽车电力电子系统及其运行控制
 
2、9月14日报告(陆续更新中)

报告嘉宾:
程新红--中科院上海微系统研究所研究员
主题报告SOI基GaN材料及功率器件集成技术

报告嘉宾:邓小川--电子科技大学教授
主题报告极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究

报告嘉宾:惠  峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
主题报告VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用

报告嘉宾:陈 鹏--南京大学教授
主题报告GaN肖特基功率器件新进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices

报告嘉宾:倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
主题报告高性能高压碳化硅功率器件设计与技术

报告嘉宾:李 强--西安交通大学副教授
主题报告基于HBN 的射频器件

报告嘉宾:吴 彤--安森美首席SiC 专家
主题报告Adopt of SiC devices in EV applications

报告嘉宾:吴 亮--奥趋光电CEO
主题报告AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望

报告嘉宾:张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
主题报告氮化镓基VCSEL技术进展

报告嘉宾:蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
主题报告金刚石微波功率器件研究

报告嘉宾:左  超--爱发科商贸(上海)有限公司电子营业部部长
主题报告量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术

报告嘉宾:裴轶/Amgad Alsman--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁/中国科学技术大学
主题报告:基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战

报告嘉宾:王祁玉--益丰电子副总经理
主题报告射频器件(TBD)

报告嘉宾:袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
主题报告面向快充应用的GaN材料和器件技术

报告嘉宾:刘 雯--西交利物浦大学副教授
主题报告硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术

报告嘉宾:黄润华--中电科五十五所副主任设计师
主题报告碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展

报告嘉宾:英诺赛科科技股份有限公司
主题报告八英寸硅基氮化镓技术进展(TBD)
 
报告嘉宾:叶建东--南京大学教授
主题报告
氧化镓基双极型异质结功率器件研究

报告嘉宾:彭 燕--南砂晶圆研发中心主任,山东大学副教授
主题报告碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究

报告嘉宾:叶念慈--三安集成技术市场总监
主题报告(TBD)

报告嘉宾:童吉楚--乾照激光副总经理
主题报告VCSEL 技术 (TBD)

报告嘉宾:向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理 
主题报告用于新型GaN功率器件的外延技术进展

报告嘉宾:杨学林--北京大学物理学院高级工程师
主题报告
Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching

报告嘉宾:徐尉宗--南京大学研究员
主题报告
面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术

报告嘉宾:郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授
主题报告Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network

报告嘉宾:樊嘉杰--复旦大学青年研究员
主题报告SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

更多报告嘉宾正在确认中!!!
 
【拟参与单位】华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学,电子科技大学,河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯,赛微电子,南京百识,唐晶量子,天科合达,汉骅半导体,南京百识,大族激光,德仪,江苏三代半研究院等

【投稿】Oral或Poster :500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。

【参会注册 】注册费 2000 (会议资料,招待晚宴,自助餐)
开户行:中国银行北京科技会展中心支行
账  号:336 356 029 261
名  称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【参会/赞助/商务合作】
联系人:
贾先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              张小姐13681329411,zhangww@casmita.com
南京功率射频会议活动行
如果您想参会,可以直接扫码预报名,我们会第一时间和您联系!
协议酒店:城市名人酒店(协议价400,含早)
联系人:王玮18652978537,648231476@qq.com 

防疫提示:会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复,目前南京市全域均为低风险区,进出南京不需要核酸检测证明,只要14天内没去过中高风险区和出入境经历,体温无异常情况下,均可持绿码进出南京参加会议。
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