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第三代半导体外延材料的产业化应用之路
 评论 ⋅  2024-02-21 09:40
晶旭半导体获战略投资协议，计划实现年产75万片ε相氧化镓外延片（压电领域用）
 评论 ⋅  2024-02-05 15:35
瀚天天成上交所科创板IPO已问询 为全球领先的宽禁带半导体外延晶片供应商
 评论 ⋅  2024-01-24 21:03
上海合晶募资超15亿元投资优质外延片研发项目
 评论 ⋅  2024-01-24 18:04
半导体硅外延片一体化制造商上海合晶启动科创板IPO
 评论 ⋅  2024-01-22 15:10
厦门市翔安区-6-8英寸SiC外延晶片产业化项目可行性研究报告
 评论 ⋅  2024-01-11 15:25
中国电科第四十八研究所40台SiC外延设备成功Move in
中国电科第四十八研究所自主研发SiC外延炉Movein
 评论 ⋅  2024-01-10 18:25
香港中文大学（深圳）冀东：GaN同质外延中的雪崩特性
GaN同质外延雪崩击穿电离系数功率器件雪崩光电二极管
 评论 ⋅  2024-01-10 11:53
国产碳化硅外延设备供应商纳设智能开启上市辅导
 评论 ⋅  2024-01-09 20:21
第四代半导体迎来新进展 相关A股公司抢抓“新风口”
氧化镓外延片单晶Ga2O3金刚石氮化铝
 评论 ⋅  2024-01-09 10:42
中山大学物理学院氢化物气相外延沉积系统采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2023-12-29 16:53
重大突破！第三代半导体在宁加速布局
第三代半导体硅基氮化镓外延片中电科碳化硅外延片
 评论 ⋅  2023-12-29 09:55
南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
 评论 ⋅  2023-12-20 11:52
电科材料下属国盛公司第一枚碳化硅外延片正式下线
 评论 ⋅  2023-12-14 18:27
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│清软微视周继乐：化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术
 评论 ⋅  2023-12-04 15:13
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
IFWS 2023前瞻│碳化硅衬底、外延材料生长与加工分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-23 11:52
IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-16 16:31
中电科南京外延材料产业基地投产运行，一期投资19.3亿元
 评论 ⋅  2023-11-13 17:20
性能位居前列！ 芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
 评论 ⋅  2023-11-13 10:33
中电化合物8英寸SiC外延片首批产品交付
 评论 ⋅  2023-11-02 17:08
中电化合物完成客户首批次8英寸SiC外延片产品交付
 评论 ⋅  2023-11-02 16:21
泰高技术与镓宏半导体一同致力于氮化镓外延片领域的全面战略推进
 评论 ⋅  2023-09-07 11:43
蔚来增持晶湛半导体，或加码氮化镓外延技术应用上车
 评论 ⋅  2023-08-31 16:01
纳芯微：逆势外延并购 加码汽车、泛能源类芯片战略布局
 评论 ⋅  2023-08-25 11:00
上海合晶IPO通过科创板上市委会议 为半导体硅外延片一体化制造商
 评论 ⋅  2023-08-17 11:38
厦门大学教授张洪良：氧化镓薄膜外延与电子结构研究
 评论 ⋅  2023-08-16 14:06
中镓半导体刘强：面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
 评论 ⋅  2023-08-02 10:10
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