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上海合晶:正推进12英寸55纳米CIS
外延
片量产
上海合晶正推进12英寸55纳米CIS
外延
片量产
广州拓诺稀科技氧化镓
外延
项目即将投产
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏:氧化镓异质
外延
生长及材料特性研究
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT
外延
片”2项标准形成征求意见稿
华润微电子:润新微电子
外延
生产基地建成
意见征集 | 北大光电院牵头的异质
外延
氮化镓
外延
层厚度测试方法标准形成征求意见稿
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT
外延
片”2项标准形成征求意见稿
瀚天天成申请降低碳化硅
外延
薄膜表面 Bump 缺陷专利,可提高碳化硅
外延
片质量
碳化硅
外延
供应商瀚天天成冲刺港交所
晶湛半导体发布第二代Full Color GaN®全彩系列
外延
片,携ZDP™平台助力AR眼镜商业化进程
助力科技中国战略!盖泽参编的《埋层硅
外延
片》GB国家标准正式实施
瀚天天成8英寸碳化硅
外延
晶片厂房建设完成,设备购置将在3月收官
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓
外延
片》1项团体标准
总投资12.3亿元,立昂微年产96万片12英寸硅
外延
片项目落地
新微半导体“垂直腔面发射激光器的
外延
结构及其校验方法”专利公布
总投资12.3亿,立昂微年产96万片12英寸硅
外延
片生产项目落户
突破!国产SiC
外延
设备首次大规模发货!
全磊光电化合物半导体
外延
片/芯片研发及产业化项目开工
全磊光电化合物半导体
外延
片/芯片研发及产业化项目开工
《异质
外延
氮化镓
外延
层厚度测试 白光干涉法》CSA团体标准第一次讨论会召开
天域半导体取得水平气流SiC
外延
设备石英钟罩内壁清洁工具专利,能够保证石英钟罩的清洁效果符合炉膛反应需求
成都士兰半导体申请半导体
外延
结构及其制备方法专利,降低
外延
自掺杂效应
北京智慧能源研究院SiC
外延
片公开招标采购项目公开招标公告
唐晶量子化合物半导体
外延
片研发和生产项目竣工投产
镓和半导体李山: 氧化镓PECVD
外延
生长及光电信息感知器件研究
中微公司陈丹莹:PRISMO PDS8–用于SiC功率器件
外延
生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
北京大学沈波教授:基于大失配
外延
的氮化物第三代半导体材料与器件——IFWS&SSLCHINA2024
晶盛机电:8英寸碳化硅
外延
设备和光学量测设备顺利实现销售,12英寸三轴减薄抛光机拓展至国内头部封装客户
【IFWS2024】 碳化硅衬底、
外延
生长及其相关设备技术分会日程公布
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