当前，第三代化合物半导体应用广泛，化合物半导体材料在电子器件制造中扮演着重要角色。其中半导体衬底和外延层的质量对器件性能至关重要，检测这些材料中的缺陷是确保高性能器件制造成功的关键一步，有助于确保产品质量、提高生产效率，同时也为材料研究和新技术的发展提供了关键的支持。
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。期间在“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，清软微视（杭州）科技有限公司总经理周继乐带来了“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”的主题报告。
清软微视是清华大学知识产权转化的高新技术企业，专注于化合物半导体视觉领域量检测软件与装备研发。其自主研发的针对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的衬底和外延无损检测装备Omega系列产品，可以检测碳化硅和氮化镓晶片在生产制造过程中产生的表面缺陷和内部晶格缺陷，支持BF/DIC/DF/PL 多种成像方式，已经通过五家主流厂商的六大类数千块量产片测试验证。报告显示，Omega系列化合物衬底和外延检测设备，应用于多尺寸SiC/GaN 等衬底/外延生产过程。支持DIC/明场/多角度暗场/PL成像方式的自由配置组合。适用于透明/半透明/不透明衬底/外延片 表面/侧边/背面缺陷检测。
其Omega 9880是针对碳化硅衬底和外延的检测设备。多配置DY预估结果同时输出，使用直方图、Wafer Map、Charts等形式对单次或批量检测结果进行分析，数据库存储时间超过两年，可随时检索。兼容主流厂商Mapping数据交换格式。检测结果数据支持 FTP、HTTP、共享目录等多种方式上传，可合并不同功能检测设备、不同产商检测设备的 Mapping结果。报告指出，Omega 9880与对标机台成像方案均为集成了 DIC明场与PL的显微成像方式，算法检测基于图像成像信号进行缺陷检测与分类。
结合实践，报告认为，目前行业仍需要思考，是否存在完美的无损缺陷检测方法，以及探索缺陷的转化、关联分析。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
