第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
本届论坛除了重量级开、闭幕大会，设有七大主题技术分会，以及多场产业峰会，将汇聚全球顶级精英，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。
目前，“碳化硅衬底、外延材料生长与加工”分会最新报告日程正式出炉。本届分会得到了三安光电股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、赛迈科先进材料股份有限公司、清软微视（杭州）科技有限公司、九峰山实验室、德国爱思强股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司的协办支持。
届时，该分会将有Nitride Crystals Inc.执行总裁Yuri Makarov，河北普兴电子科技股份有限公司总经理薛宏伟，德国爱思强股份有限公司中国区总经理方子文，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长赵丽丽， 中国科学院大连理化所研究员、大连创锐光谱科技有限公司董事长金盛烨，山东大学副教授/南砂晶圆技术总监杨祥龙，赛迈科先进材料股份有限公司首席技术官、副总经理吴厚政，北京国瑞升科技集团股份有限公司研发总监苑亚斐、北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛，中国科学院半导体所助理研究员闫果果、山东大学孙丽等多位科研院校知名专家及实力派企业代表共同参与，将围绕碳化硅衬底、外延材料生长与加工的发展分享主题报告。
分会日程详情如下：
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技术分论坛：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术 Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment |
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时间：2023年11月29日08:25-12:00 地点：厦门国际会议中心 • 白鹭厅 Time: Nov 29, 08:25-12:00 Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall |
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协办支持/Co-organizer: 三安半导体 San'an Co.,ltd 广州南砂晶圆半导体技术有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方华创微电子装备有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd. 赛迈科先进材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清软微视（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd. 九峰山实验室 JFS Laboratory 德国爱思强股份有限公司 AIXTRON SE 河北普兴电子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
徐现刚 / XU Xiangang 山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 冯 淦 / FENG Gan 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理 General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd. 陈小龙/CHEN Xiaolong 中国科学院物理研究所研究员 Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences |
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08:25-08:30 |
嘉宾致辞 / Opening Address |
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08:30-08:50 |
利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体 Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.执行总裁 Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd. |
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08:50-09:10 |
200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长 200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth 薛宏伟--河北普兴电子科技股份有限公司总经理 XUE Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd |
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09:10-09:30 |
High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide 碳化硅6/8英寸高产能外延解决方案 方子文--德国爱思强股份有限公司中国区总经理 FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China |
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09:30-09:50 |
大尺寸SiC单晶的研究进展Research progress of 8-inch SiC single crystal 杨祥龙--山东大学副教授/南砂晶圆技术总监 YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd |
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09:50-10:10 |
化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术 Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy 周继乐--清软微视（杭州）科技有限公司 总经理 ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
时间分辨光谱技术及其在SiC材料检测中的应用 Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing 金盛烨--中国科学院大连理化所研究员、大连创锐光谱科技有限公司董事长 JIN Shengye--Professor of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd |
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10:45-11:05 |
8英寸碳化硅衬底产业化进展 Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate 赵丽丽--哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长 ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc. |
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11:05-11:25 |
精细石墨——半导体材料制造之柱 Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture 吴厚政--赛迈科先进材料股份有限公司首席技术官 WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation |
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11:25-11:45 |
液相法碳化硅单晶生长技术研究 Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method 张泽盛--北京晶格领域半导体有限公司总经理 ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd |
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11:45-12:00 |
碳化硅衬底粗研磨和精研磨工艺及耗材技术 SiC Substrate Coarse Lapping and Fine Lapping Processes and Consumables 苑亚斐 北京国瑞升科技集团股份有限公司研发总监 YUAN Yafei R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd |
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12:00-12:15 |
热壁反应器在4°离轴衬底上生长150mm低表面粗糙度4H-SiC外延层 Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates 闫果果--中国科学院半导体所助理研究员 YAN Guoguo--Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences |
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12:15-12:30 |
X射线形貌技术（XRT）在SiC缺陷检测中的应用 Application of X-ray topography in SiC wafer defect detection 孙丽 山东大学 SUN Li Shandong University |
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12:00-13:25 |
午休 / Adjourn |
（备注：本场会议日程仍在调整中，仅供参考，最终以现场为准！）
部分嘉宾简介
徐现刚
山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授，分会程序委员会专家
陈小龙
中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员，分会程序委员会专家
冯 淦
瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理，分会程序委员会专家
Yuri Makarov，Nitride Crystals Inc. 执行总裁
Yuri Makarov博士的科研领域集中在研究晶体的生长和外延，包括：升华法生长块状SiC晶体、升华法生长块状AlN晶体、开发和制造PVT法生长SiC和AlN晶体设备、开发设备和氢化物气相外延法外延生长技术、外延生长和氮化物异质结分析、以及应用于医学和生物学的蛋白质和DNA检测石墨烯基层传感器。
方子文
德国爱思强股份有限公司中国区总经理
方子文博士毕业于英国利物浦大学工程学院，从事先进半导体沉积技术，他在AIXTRON曾担任工艺科学家，苏州实验室部门经理等职，精通三五族化合物半导体MOCVD外延材料生长、制备和测试。其中包括硅基GaN材料用于功率及射频器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED显示面板产品使用的外延材料。
赵丽丽
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长 哈尔滨工业大学教授
赵丽丽博士，长期坚持在科研一线、潜心研究新材料与高端装备，并于2018年受邀担任深圳第三代半导体研究院晶体材料所所长。2018年响应“大众创业、万众创新”的政策，赵丽丽博士持科技成果创办哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（简称：科友半导体）担任董事长。2015年至今，在创业奋斗的过程中，也获得国家、省、市的各项殊荣。
金盛烨
中国科学院大连理化所研究员、大连创锐光谱科技有限公司董事长
金盛烨，杰出青年科学基金获得者。现任中国科学院大连化物所研究员、超快时间分辨光谱与动力学研究组组长。致力于利用超快时间分辨光谱技术（荧光光谱和pump-probe瞬态吸收光谱）研究半导体材料和器件中光诱导界面电荷分离、能量转移和光催化反应动力学过程。在国际上首次建立了超快时间分辨荧光扫描动力学成像方法，实现在微观尺度内对钙钛矿光电材料中载流子运动过程的直接成像观测，为钙钛矿光电材料高效光电转换结构的设计和制备提供了新思路和新方法。承担并参与了十余个科研项目，2021年作为负责人承担了中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划项目—表界面超快化学反应动力学；2018年作为首席科学家承担了科技部国家重点研发计划项目—纳米结构跨频域及跨时域尺度的动力学表征。
杨祥龙
山东大学副教授、南砂晶圆技术总监
杨祥龙，山东大学副教授，博士生导师。长期从事宽禁带半导体碳化硅晶体生长和缺陷分析研究，主持承担了国家自然科学基金、省重点研发计划、省自然科学基金等多项科研项目。
吴厚政
赛迈科先进材料股份有限公司首席技术官、副总经理
吴厚政，牛津大学材料科学博士，曾任天津大学教授，教育部先进陶瓷及加工重点实验室主任，拉夫堡大学教授，现任赛迈科先进材料股份有限公司首席技术官、副总经理。
闫果果
中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室助理研究员
闫果果，主要从事第三代宽禁带半导体材料--碳化硅同质与异质外延生长的研究工作。包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料测试表征、外延缺陷研究。参加多项课题研究工作，在国内外学术期刊上发表研究论文多篇，申请国家发明专利多项。
薛宏伟
河北普兴电子科技股份有限公司总经理
张泽盛
北京晶格领域半导体有限公司总经理
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附论坛详细信息：
会议时间 : 2023年11月27-30日
会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心
主办单位：
厦门市人民政府
厦门大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
承办单位：
厦门市工业和信息化局
厦门市科学技术局
厦门火炬高新区管委会
惠新(厦门)科技创新研究院
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
论坛主题：低碳智联· 同芯共赢
程序委员会 ：
程序委员会主席团
主席：
张 荣--中国科学院院士，厦门大学党委书记、教授
联合主席：
刘 明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员
顾 瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授
江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授
李晋闽--中国科学院特聘研究员
张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授
沈 波--北京大学理学部副主任、教授
徐 科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长
盛 况--浙江大学电气工程学院院长、教授
张 波--电子科技大学教授
陈 敬--香港科技大学教授
徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
吴伟东--加拿大多伦多大学教授
张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授
备注：11月15日前注册报名，享受优惠票价！
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。
＊IFWS相关会议：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化功率器件及其封装技术I、Ⅱ，氮化镓功率电子器件，氮化镓射频电子器件，超宽禁带半导体技术，化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊SSL技术会议：光品质与光健康医疗技术，Mini/Micro-LED及其他新型显示技术，半导体照明芯片、封装及光通信技术，氮化物半导体固态紫外技术，光农业与生物技术,化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊IFWS会议用餐包含：28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL会议用餐：27日晚餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。
线上报名通道：
组委会联系方式：
1.投稿咨询
白老师
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.赞助/参会/参展/商务合作
张女士
13681329411
zhangww@casmita.com
贾先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
协议酒店：
