研究报告：半导体深度研究报告之模拟芯片
 评论 ⋅  2020-12-08 09:55
纸面富贵：英唐智控转型之殇 拥抱半导体芯片前路未知
纸面富贵英唐智控转型半导体芯片
 评论 ⋅  2020-12-08 09:52
厦门大学蔡端俊:氯离子局域场驱动的快速除氢p型增强技术及深紫外LED效率提升
 评论 ⋅  2020-12-07 16:41
南方科技大学孙小卫：量子点显示技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:28
国星光电章金惠：从Mini到Micro LED技术演变的思考、问题及进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:17
北京大学陈志忠:Micro-LED大注入条件下的多体效应研究
 评论 ⋅  2020-12-07 16:13
南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
 评论 ⋅  2020-12-07 16:01
华灿光电张奕博士：Mini/Micro-LED新型显示技术
 评论 ⋅  2020-12-07 15:55
苏州量芯微半导体傅玥：氮化镓功率器件，应用起航
 评论 ⋅  2020-12-04 17:05
英诺赛科陈钰林：硅基氮化镓产业化进展与市场前景
 评论 ⋅  2020-12-04 16:42
深圳盛世新能源杨鸿铭：第三代半导体在车载电源系统的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:39
深圳市禾望电气张孟杰:SiC器件在新能源变换器中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:31
许继电气陈天锦：碳化硅器件在高性能充电系统中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:28
山大华天科技迟恩先：SiC器件在有源电力滤波器中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:26
吴玲理事长：中国正迎来第三代半导体技术和产业飞速发展的重要窗口期
 评论 ⋅  2020-12-04 13:52
江苏博睿光电梁超：Y2O3-CaF2对LED用AlN封装基板性能的影响
 评论 ⋅  2020-12-03 18:11
天津工业大学于莉媛：GaN基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
 评论 ⋅  2020-12-03 18:02
电子科技大学刘成艺：n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt欧姆接触电极在空气中高温退火处理的失效机理研究
 评论 ⋅  2020-12-03 17:58
桂林电子科技大学王浩洁：多场载荷下功率器件IGBT寿命预测分析
 评论 ⋅  2020-12-03 17:49
佛山市香港科技大学赵惠珊：PWM脉冲驱动模式下UVLED动态结温的无量纲化拟合研究
 评论 ⋅  2020-12-03 17:45
复旦大学樊嘉杰:可靠性设计的发展和挑战
 评论 ⋅  2020-12-03 17:40
北京工业大学郭伟玲：新型电极LED的性能与可靠性
 评论 ⋅  2020-12-03 17:36
2020第三代半导体支撑新能源汽车创新发展高峰论坛在南沙召开
 评论 ⋅  2020-11-28 15:18
华星光电肖军诚：小间距 Mini LED技术与创新应用
 评论 ⋅  2020-11-27 16:59
IFWS2020：新一代电源及充电应用峰会深圳召开
 评论 ⋅  2020-11-27 16:54
SSLCHINA2020: MiniMicro及其它新型显示工程应用峰会召开
 评论 ⋅  2020-11-27 16:52
【SSLCHINA2020】UV-LED 固化及杀菌产业应用新机遇探讨
 评论 ⋅  2020-11-27 16:50
SSLCHINA2020：中国智慧照明创新应用峰会深圳召开
 评论 ⋅  2020-11-27 16:47
车用功率半导体标准及检测研讨会于广州南沙成功举办
 评论 ⋅  2020-11-27 15:30
美国康奈尔大学Huili Grace XING:GaN电力电子及其基本极限
 评论 ⋅  2020-11-26 17:11
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