国星光电章金惠:从Mini到Micro LED技术演变的思考、问题及进展

日期:2020-12-07     来源:第三代半导体产业网    
核心提示:由华灿光电股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司共同协办的“Mini/Micro-LED新型显示技术”分会上,佛山市国星光电股份有限公司主任工程师章金惠分享了从Mini到Micro LED技术演变的问题、思考及进展,分享了最新技术进展。
 近日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)与第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)在深圳会展中心召开。
章金惠
期间,由华灿光电股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司共同协办的“Mini/Micro-LED新型显示技术”分会上,佛山市国星光电股份有限公司主任工程师章金惠分享了从Mini到Micro LED技术演变的问题、思考及进展,分享了最新技术进展。
 
LED显示技术朝4K/8K超高清显示发展,分辨率越高,像素尺寸微缩化方向发展。报告指出,2018年开始LED显示屏到P1.0~P0.4 Mini LED显示时代。P1.0~P0.4 Mini LED显示的封装技术包含SMD、IMD和COB。Micro LED技术面临结构设计、工艺开发、可靠性、系统集成等四大挑战。Micro LED显示封装产业化则面临着新材料、新设备、新结构以及良率成本等问题。


Micro LED前景虽可期,但现阶段的技术尚不到位。由于Micro LED需要处理极高数量与极小尺寸的芯片,在其显示封装技术与产业化面临多项挑战:结构设计方面,传统分立器件贴装结构,除我司独有的IMD封装技术外,其他均难以达到P0.X要求,超薄、超高清等显示要求对Micro LED显示封装结构提出新挑战;工艺开发方面,Micro LED显示制造技术从实现路径到成本良率面临诸多挑战,包括芯片制造、巨量转移与键合、全彩化显示等技术难题;可靠性方面,Micro LED显示屏用器件剧增,巨量集成导致焊接、封装质量和坏点维修难度大;系统集成方面,系统关键技术指标暂无统一规范的指导标准,Micro LED显示暂无丰富内容和终端支持。


目前,国星光电在Micro LED领域已实现了较大的技术突破,在第一代Micro LED显示屏的基础上,已与面板厂合作开发出基于TFT玻璃背板的主动式驱动Micro LED全彩显示屏。近日,采用自主研发的巨量转移技术,已经初步实现250PPI以上红/绿/蓝单色转移键合点亮。
 
预计明年将实现P0.1以下的主动式驱动全彩显示及P0.0x以下的被动式驱动单色显示,未来可渗透在4k/8k大尺寸电视显示屏、车载显示屏、穿戴设备显示设备、AR/VR等应用市场。
 
目前国星光电已成立国星研究院、微显示企业重点实验室、Micro&Mini LED研究中心三大创新科研平台,通过开放合作的模式,加强与学术界及产业界协作,联手产业链上中下游各个环节,集中优势资源攻克微显示行业技术性难题,合力打破技术发展瓶颈,并积极研发定制化、先进的LED显示封装解决方案,推动科研技术成果孵化,共同推进Micro LED产业化,实现共赢。
 
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
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