新一代半导体晶体技术及应用大会济南召开

日期:2024-06-22 来源:半导体产业网阅读:3555
核心提示:2024年6月22日,“新一代半导体晶体技术及应用大会在济南开幕!

 2024年6月22日,“新一代半导体晶体技术及应用大会在济南开幕。本次会议是在第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东大学指导下,山东大学新一代半导体材料研究院、山东大学晶体材料国家重点实验室、济南市历城区人民政府、山东中晶芯源半导体科技有限公司、山东华光光电子股份有限公司、极智半导体产业网、第三代半导体产业联合主办,并得到了济南市政府、山东省科技厅的大力支持。

会议现场 

中国科学院院士,中国科学院原副院长,中国科学院大学原党委、校长,大会顾问李树深,中国科学院院士、厦门大学党委书记、大会主席张荣,中国科学院院士江风益,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、大会主席吴玲,山东大学党委常委、副校长芦延华,山东大学晶体材料国家重点实验室主任、新一代半导体材料研究院院长、大会主席徐现刚,广州南砂晶圆半导体技术有限公司董事长王垚浩,山东华光光电子有限公司董事长吴德华,济南市委副书记、市长于海田,济南市副市长谢堃,济南市政府秘书长韩振国,山东省科技厅二级巡视员王洪国等院士、领导、专家,以及相关部门负责领导,产业链相关高校院所专家、学者、金融机构代表、产业界领袖等300余位嘉宾代表出席本次论坛。围绕碳化硅晶体技术及其应用,氮化镓、超宽禁带晶体及其应用,砷化镓、磷化铟晶体及激光器技术,金刚石和半导体测试技术等主题,深入探讨交流新一代半导体晶体技术进展与发展趋势,分享前沿研究成果,携手助力我国新一代半导体晶体技术进步和产业发展。济南市历城区委书记张军主持了论坛开幕式环节。

紧随时代焦点前沿  深入推进科研及产业新实践

新一代半导体作为集成电路产业的重要组成部分,是国家“双碳”战略的关键支撑,也是保障国家安全和产业链安全的重要基石。

作为山东省的省会城市,近年来,济南市委市政府聚焦“数字济南”建设,将全面提升集成电路产业发展水平作为数字经济高质量发展的战略重点。

 张军

济南市历城区委书记张军主持了论坛开幕式环节

 于海田

济南市委副书记、市长于海田致辞

济南市委副书记、市长于海田致辞时表示,近年来,济南市把发展新一代半导体产业作为构建现代化产业体系的重要一环,坚持“紧盯前沿、龙头牵引、创新培育、打造生态、沿链谋划、集群发展”,加快建设国内领先的第三代半导体产业高地。济南具备发展新一代半导体的产业,人才、技术优势,行业影响力和产业竞争力显著提升,日益成为半导体企业布局落子、投资兴业的首选之地。产业的发展需要各方力量的支持,希望大家积极为济南半导体产业发展壮大把脉问诊、建言献策,将更多创新理念、前沿技术、高端人才、优质项目带到济南,共赢未来。

 张荣 

中国科学院院士、厦门大学党委书记、大会主席张荣致辞

材料是根本性技术,未来社会发展离不开半导体技术。中国科学院院士、厦门大学党委书记、大会主席张荣致辞时表示,新一代半导体晶体技术既是未来半导体产业的重要基础,新质生产力的代表之一,是支持前沿技术发展、国家安全非常重要的基础性技术,也是国际竞争的焦点。张荣对济南市新一代半导体产业取得的发展成效给予高度评价,并表示济南一直走在国内新一代半导体材料研究前列,尤其是新一代金刚石单晶研究具有优势。半导体晶体技术既是研究领域同时也是产业化方向,希望产学研用能紧密结合,对我国新一代半导体晶体产业和未来半导体发展做出贡献。

 吴主任 

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、大会主席吴玲致辞

在新的地缘政治形势下,全球半导体产业竞争力格局重塑进入历史关键期,第三代半导体材料是重要突破口,对于国家安全、产业链安全都有重要意义。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、大会主席吴玲致辞时表示,在绿色、数字化、智能化的时代背景下,第三代半导体是颇具前景的发展赛道,将支持“双碳”、可持续发展,支撑未来更广阔的应用需求,为新质生产力的提升做出贡献。山东具有良好的半导体产业基础和优势,希望可以与业界携手共同促进半导体领域基础材料的竞争力和创新力。

 王洪国 

山东省科学技术厅二级巡视员王洪国致辞

近年来山东聚焦科技自立自强,着力打造全国重要区域科技创新高地,加快提升科技创新效率,充分发挥企业主体作用,形成了一批代表性企业。山东省科学技术厅二级巡视员王洪国致辞时表示,新一代半导体产业是集成电路领域的重要组成部分,以8英寸碳化硅北方基地为代表的产业技术力量将助力推动山东省打造百亿级国家第三代半导体产业高地。科技创新是发展新质生产力的核心要素,企业作为科技创新的主体,是创新成果转化的中心,山东将不断深化产学研系统创新,推动原创性、颠覆性科技创新成果,相信在各方力量的协助支持下,可以在全球半导体产业竞争中抢占先机,也希望与业界携手,在新一代半导体材料、器件关键核心材料研发等领域取得突破,助力高水平科技自立自强。

 芦延华 

山东大学党委常委、副校长芦延华致辞

新一代晶体材料是引领新一轮科技革命和产业变革的关键材料,山东大学在新一代半导体材料领域一直深入研究攻关,尤其是8英寸碳化硅生长等关键核心技术突破,带动相关产业发展。山东大学党委常委、副校长芦延华致辞时表示,山东大学将继续强化技术科研,加快科技成果转化和应用,支撑山东省打造百亿级产业新高地。山东大学将继续发挥学科、人才优势,与新一代半导体强势力量一起,瞄准前沿,强化关键核心技术,产业共性技术攻关,为发展新质生产力提供动能,支撑科技自立自强。

投产启动仪式 

2023年首批省级数字产业重点项目“中晶芯源”投产启动仪式举行

碳化硅半导体是山东大学晶体材料国家重点实验室的核心优势,也是山东省、济南市重点布局的高技术龙头产业。2023年5月,南砂晶圆响应济南市和山东大学“校地战略合作”精神,在济南市历城区注册成立“山东中晶芯源半导体科技有限公司”,建设8英寸碳化硅北方基地,助力山东大学服务地方经济发展。基于山东大学丰富的碳化硅技术积淀和南砂晶圆扎实的产业化基础,在山东省、市、区各级领导和主管部门的支持下,公司8英寸碳化硅单晶和衬底项目在2023年12月纳入国家产业布局。开幕式期间,2023年首批省级数字产业重点项目“中晶芯源”投产启动仪式举行,南砂晶圆、中晶芯源8英寸碳化硅北方基地正式投产。

材料技术提升加速  持续赋能产业应用发展

大会主旨报告环节,七大重量级报告,深入探讨交流新一代半导体晶体技术及应用的最新进展及前沿新方向,共谋创新链、产业链融合发展。第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华、厦门大学教授康俊勇共同主持了大会主旨报告环节。

江风益 

中国科学院院士、南昌大学教授江风益

《V形PN结铟镓氮发光及应用》

V形PN结是一种特殊的结构,通常用于InGaN(氮化镓铟)发光器件中。V形PN结结合了V形结构和InGaN材料的优势,可以提高发光器件的效率和性能。中国科学院院士、南昌大学教授江风益做了“V形PN结铟镓氮发光及应用”的主题报告,分享了最新研究成果,研究提出了铟镓氮V形PN结思想,发现了V缺陷是有益的、能有效减低LED工作电压/提高发光效率,建立了V缺陷设计制造方法,发明了高光效黄光LED结构及其工艺技术和材料生长高端装备,有效突破了“黄光鸿沟”难题。创造了无需经过稀土荧光粉转换的LED照明新产品(无粉照明),照明光源的人眼舒适度得到提升。V缺陷设计制造方法/V形PN结思想及架构有效推动了蓝宝石蓝光、绿光、黄光、红光LED工作电压降低和光效提升。

沈波 

北京大学理学部副主任、教授沈波

《AlN体单晶材料和外延材料的制备》

AlN具有超宽的直接带隙 (6.2 eV)、高击穿场强等诸多优点,具有既实现高质量氮化物半导体同质外延生长,又满足高功率密度器件散热需求的优势,在紫外光电器件、微波毫米波器件、功率电子器件、射频滤波器等领域具有重要应用价值。 北京大学理学部副主任、教授沈波做了“AlN体单晶材料和外延材料的制备”的主题报告,分享了北京大学近年来围绕高质量AlN单晶衬底和外延薄膜的获得开展的系统工作的研究进展与成果,通过自行研制的PVT专用设备,解决了一系列技术难题,成功研制出2英寸AlN晶体和衬底晶片,初步制备出4英寸AlN晶体。发明数种蓝宝石衬底上AlN外延方法,NPSS衬底上AlN外延层XRD摇摆曲线半高宽达132(002)/140(102)arcsec,NPAT衬底上AlN外延层位错腐蚀坑密度降低到 ~104 cm-2。

 严飞1

芯联集成电路制造股份有限公司副总裁严飞

《SiC大规模产业化》

碳化硅材料、工艺、应用突破难度高,需要全产业链齐心协力推进低成本、高质量、大批量的产业化。芯联集成电路制造股份有限公司副总裁严飞做了“SiC大规模产业化”的主题报告,报告指出,SiC方案能显著提升能效,能够通过产业化和持续创新消除溢价,是中高压大功率应用最好的选择,将承担最大的增长。SiC产业链条即将跨越“临界点”。通过材料/器件/封装/系统的全产业链协同创新,全SiC方案效益成本比将剧烈提升,从而消除了大规模应用的成本障碍,即使不考虑性能和系统上的改善,能源费用的节省就足以支付SiC相对于Si方案的成本增加。

陈秀芳 

山东大学教授、南砂晶圆总经理陈秀芳

《低缺陷碳化硅单晶进展及展望》

近年来 SiC 衬底厂商加速推进 8 英寸衬底的研发和量产进度。山东大学教授、南砂晶圆总经理陈秀芳做了“低缺陷碳化硅单晶进展及展望”的主题报告,分享了导电型碳化硅单晶和半绝缘碳化硅单晶的最新研究进展。报告显示,目前山东大学6英寸导电型和半绝缘SiC衬底已大规模量产和应用,8英寸导电型衬底已开始产业化。制备了8英寸半绝缘4H-SiC晶体,加工出了8英寸4H-SiC衬底,经拉曼测试,4H晶型面积比例达到100%,无6H和15R等多型夹杂。

 刘红超

长飞先进半导体副总裁、首席科学家刘红超

《SiC材料缺陷对器件和良率影响》

SiC是优选的功率半导体材料,具有高能源投入产出比,在电子器件中使用越来越广泛,但其制造过程中的缺陷会直接影响器件性能和良率。长飞先进半导体副总裁、首席科学家刘红超做了“SIC材料缺陷对器件和良率影响”的主题报告,分享了相关研究进展与成果,涉及缺陷增长路径、设备性能缺陷、缺陷引起的可靠性双极退化、近界面氧化物陷阱引起的缺陷可靠性Vth漂移等。报告指出,降低缺陷密度是一个漫长的过程,从提高材料质量、优化晶圆和组装工艺都是如此。缺陷可以来自于外延、工艺和组装等。

 王钢 

中山大学教授王钢

《基于金属有机化学气相沉积的ε-Ga2O3薄膜掺杂研究》

ε-Ga2O3是一种具有优良电子传输性能和宽带隙的材料,通常用于高功率电子器件的制造。在金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术中,掺杂研究可以针对改善材料的电学特性和性能进行调控。中山大学教授王钢做了“基于金属有机化学气相沉积的ε-Ga2O3薄膜掺杂研究”的主题报告,分享了相关研究成果,报告显示,研究通过H2O作为氧源+两步法+大切角衬底技术,在c面蓝宝石衬底上实现了大尺寸、高质量ε-Ga2O3异质外延:半高宽可以低至约400arcsec,表面为台阶流生长!通过ε-Ga2O3表面F掺杂,获得高达~1014/cn2的电子面密度,具有类2DEG特性,方块电阻可达1215Ω/sq:制备的高耐压MOSFET器件,击穿电压可达2.85kV,导通电阻110Qmm,PFOM达到0.29 GW/cm2.处于领先水平!通过ε-Ga2O3的Si掺杂,可以实现1017~1019大范围载流子浓度调控电阳率最低可达0.09Ω-cm 迁移率最高6.7cm2/(V.s),各项电学指标均优越;并且制备的SBD器件具有整流特性,在未来大功率器件应用上具有广阔的应用前景。

朱振

山东华光光电子股份有限公司研发部部长朱振

《高功率半导体激光器核心外延材料及芯片研究进展》

高功率半导体激光器的核心外延材料及芯片研究一直是半导体激光器领域的重要研究方向。山东华光光电子股份有限公司研发部部长朱振做了“高功率半导体激光器核心外延材料及芯片研究进展”的主题报告,分享了高功率半导体激光芯片核心技术以及高功率半导体激光芯片研究进展。报告指出,目前主流的红光6xx nm使用AlGaInP/GaInP材料,近红外9xx nm使用AlGaAs/InGaAs材料。~800nm的近红外波段,Ga(In)AsP和Al(In)GaAs材料体系均可实现。其中AlGaAs材料更容易控制组分和均匀性,可以做到更高效率输出。而GaInAsP材料不含Al,可靠性更优。华光是国内较早实现红光激光器产业化的企业,单模5-10mW占据国内50%的市场。近期研发的单模650nm 10mW芯片突破85℃高温考评,进入车规市场。单模650nm高功率芯片突破100mW,多模双点2.5W芯片在功率及转换效率上同日本标杆接近。报告认为,高功率半导体激光器芯片在市场需求牵引下发展迅速,已经突破影响激光器的寿命和可靠性问题,实现了从材料、芯片、模组全链条产业化。芯片国产化是必然趋势,随着成本及价格的降低,市场会进一步扩大,竞争会更加激烈。

 会议现场3

 会议现场1

本次论坛除开幕大会,两天时间里,还设置了四大主题平行论坛,围绕“碳化硅晶体及其应用”、“氮化镓、超宽禁带晶体及其应用“、“砷化镓、磷化铟晶体及激光器技术”、“金刚石和半导体测试技术”等主题方向,来自产业链的企业及高校科研院所的实力派嘉宾代表将深入研讨,携手促进新一代半导体晶体技术进展及未来发展趋势,分享前沿研究成果,携手助力我国新一代半导体晶体技术进步和产业发展。

 展览现场

展览现场3

展览现场2

 论坛同期还设置了主题展览,交流晚宴、商务考察等线上线下丰富的活动形式,凝心聚力,助力对接资源,洽谈合作。论坛期间,组织安排嘉宾代表们有意向的走访中晶芯源、浪潮集团/华光光电等,实地了解,探讨更多合作可能。 

CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会(CASICON)” 是由【极智半导体产业网】主办,每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点领域与应用方向,聚合产业相关各方诉求,通过“主题会议+项目路演+展览”等形式,促进参与各方交流合作,积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业发展为己任,持续输出高质量的活动内容,搭建更好的交流平台,为产业发展贡献应尽的力量。

根据现场内容整理  供参考,更多会议详细信息,敬请关注半导体产业网!

                    

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