近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办的功率电子器件及封装技术分会上，美国康奈尔大学电气和计算机工程教授Huili Grace XING带了视频报告，分享了关于GaN电力电子及其基本极限的最新研究进展。
在宽禁带半导体中同时实现n型和p型越来越困难。也有诸多的问题待解决，比如它对超宽禁带半导体中电力电子的设计原理有何影响？与半绝缘区（例如，在流行的GaN-HEMT基功率晶体管中）相比，p区在电力电子器件中扮演什么根本不同的角色？没有p型的帮助，肖特基势垒等单极器件的实际基本极限是什么？像GaN这样的极性半导体家族有哪些独特的优势？什么是极化掺杂？极化掺杂和杂质掺杂有什么本质区别？报告回顾l了过去20年来我们在GaN电力电子器件方面为寻求这些问题的答案以及实现最先进的器件所做的努力，以及最新的成果进展。
Huili Grace XING表示研究工作得到了ARPAe交换机、AFOSR FA9550-17-1-0048和NSF DMREF 1534303的部分支持，利用了CNF（NSF ECCS-1542081）、CCMR（NSF MRSEC DMR-1719875）的共享设施和DMR-1338010支持的设备。
Huili Grace Xing目前是康奈尔大学电气与计算机工程材料科学与工程的William L. Quackenbush教授。从2004年到2014年，她就职于圣母大学。她分别取得了北京大学物理学学士学位（1996年） 理海大学材料科学硕士学位（1998年）和加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的电机工程博士学位（2003年）。她的研究重点是III-V型氮化物，2-D晶体，氧化物半导体，最近研究多铁性材料，磁性和超导材料的开发：生长，电子和光电器件，尤其是材料性能与器件开发以及高性能器件之间的相互作用，包括RF / THz器件，隧道场效应晶体管，功率电子器件，DUV发射器和存储器。她曾获得AFOSR青年研究者奖，NSF职业奖和ISCS青年科学家奖。她是APS的会员。她已撰写/与他人合着了240多种期刊论文和110多种会议论文集，包括《自然》杂志，《物理评论快报》，《应用物理快报》，《电子设备快报》和IEDM等。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
