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快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”,落地这一领域可每年省电40亿度
英飞凌
第三代半导体
器件
MOSFET
SiC
MOSFET
SiC模块
GaN
HEMT
IGBT
Si基GaN 射频
器件
研究进展
宽禁带半导体进军新能源汽车,国内业者应如何正视差距补齐短板?
宽禁带
半导体
进军
新能源汽车
芯片设计
芯片
碳化硅器件
MOSFET
SiC
华微电子:公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体
器件
技术
捷捷微电:电力电子
器件
生产线建设项目,募集资金已经投完
宽禁带半导体:一场能源转换链中的革命
碳化硅
氮化镓
宽禁带
第三代
半导体
物理
高压
高频
高功率
半导体器件
功率
器件
火爆!安世半导体多款MOSFET产品交期现已高达69周
功率器件
安世半导体
MOSFET
产品交期
西安交大在柔性
器件
力学结构设计与智能柔性传感领域取得突破
2021年中国功率
器件
行业市场供需现状
华微电子目前正在投建新型电力电子
器件
基地项目
锦浪科技与飞尼奥签署日常经营重大合同 涉及购买IGBT等电子元
器件
民德电子:拟募资5亿元发力碳化硅功率
器件
项目
碳化硅功率
器件
的发展现状及其在电力系统中的应用展望
国星光电:已完成三代半功率
器件
实验室及功率
器件
试产线建立工作
SiC
器件
年产能200万只!青铜剑第三代半导体产业基地项目主体开建
功率
器件
的前世今生
浙江知识产权发展“十四五”规划:开展第三代半导体芯片、高端光
器件
等领域知识产权攻关
碳化硅(sic)功率
器件
及其在航天电子产品中的应用前景展望
峰岹科技科创板IPO申请获受理,拟募资5.55亿升级国产电机驱动芯片
峰岹科技
科创板
上市
功率器件
MOSFET
电机驱动芯片
功率模块
IPM
半导体新格局|缺芯全球蔓延, 国产替代迎机遇
半导体
芯片
设备
材料
氮化镓
碳化硅
化合物
第三代
器件
衬底
云大半导体材料硫化铂光电特性研究获新突破,助力大面积电子
器件
发展
氮化镓(GaN)射频
器件
市场:2026年预计达到24亿美元以上
英特尔12英寸晶圆、3D
器件
面世
功率
器件
市场现黄金期 国内会有怎样的布局?
华润微将携手大基金二期,斥巨资建12吋功率
器件
产线
比亚迪半导体拟公开发行股票:年净利润仅0.32亿,半导体
器件
与国际领先水平有差距
投资20亿元,年产15亿只先进功率
器件
及模块封装项目启动
中科院院士黄如:后摩尔时代集成电路技术发展进入重要的历史转折期
微电子器件
中科院院士
北京大学
副校长
黄如
后摩尔时代
集成电路
技术
GaN电力电子
器件
的现在与未来
突破碳化硅“卡脖子”技术!年产5000片中科汉韵SiC
器件
项目通线
第
26
页/共
32
页
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