贝思科尔邱志国:第三代半导体器件的热测试与仿真解决方案

日期:2021-10-08     来源:半导体产业网    
核心提示:。报告详细分享了基于Simcenter T3Ster/PWT的热可靠性测试解决方案和基于Simcenter FloTHERM/FloEFD的热仿真解决方案等内容。
半导体器件仿真技术能有效突破器件实验表象,可视化器件内部最根本的物理机制,加深对半导体器件物理的理解,助力于半导体器件架构的优化和制。
 
近日,由半导体产业网、第三代半导体产业(公号)、博闻创意会展(深圳)有限公司主办的“2021第三代半导体技术及充电产业合作论坛”在“ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展”同期举行。
 邱志国
会上,深圳市贝思科尔软件技术有限公司总经理邱志国带来了“第三代半导体器件的热测试与仿真解决方案”的主题报告,分享了最新成果。功率半导体器件又称电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏及以上)。功率半导体器件主要有功率模组、功率集成电路(即Power IC,简写为PIC,又称为功率IC)和分立器件三大类。
 
功率模组是将多个分立功率半导体器件进行模块化封装;功率IC对应将分立功率半导体器件与驱动/控制/保护/接口/监测等外围电路集成;分立功率半导体器件则是功率模块与功率IC的关键。高温是半导体可靠性故障的主要原因,热设计对电子产品的重要性。报告详细分享了基于Simcenter T3Ster/PWT的热可靠性测试解决方案和基于Simcenter FloTHERM/FloEFD的热仿真解决方案等内容。
 
涉及先进的热测试方法:电学测试法(ETM),温度系数(K Factor)测试,瞬态热测试原理及结构函数(Structure Function),结构函数,热阻模型的精细化:结构函数与热分布的关系,实测案例---器件内部结构可视化,基于PowerTester实现功率半导体模块热可靠性、寿命预测,CFD热仿真流程步骤,基于FloTHERM/FloEFD完成IGBT热仿真分析等。



 
 
嘉宾简介
邱志国,从事PCB制造及电子装联3年,EDA(电子设计自动化)/CAE(计算机辅助工程)7年,主要研究半导体芯片原理图、版图设计及物理验证,以及电子产品散热仿真及IGBT模块功率循环(Power Cycling)测试方案;拥有丰富的产品线市场推广方案及项目合作经验。
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