韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
IFWS2021：射频电子器件与应用论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-14 14:29
美国Analog设备张薇葭：基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
 评论 ⋅  2021-12-13 18:14
关于国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度公开指南项目安排公示的通知
 评论 ⋅  2021-12-13 17:12
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
西安电子科技大学王婷婷：基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:44
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
最新进展分享 氮化镓功率电子器件论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-13 11:24
八位嘉宾前沿报告分享！ 半导体照明芯片、封装、模组及可靠性论坛圆满召开
半导体照明芯片封装模组可靠性
 评论 ⋅  2021-12-11 18:23
元宇宙时代，Mini/Micro-LED技术产业应用发展趋势
 评论 ⋅  2021-12-11 17:17
北京大学许福军：高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:08
北京大学王柳冰：通过引入透明复合p型层和Ag纳米点/Al反射电极相结合提高深紫外LED的光提取效率
 评论 ⋅  2021-12-11 16:06
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
厦门大学黄凯：紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究
 评论 ⋅  2021-12-11 16:02
中山大学江灏：利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:01
港科技术（佛山）董国帅：峰值波长为 222nm 的远紫外线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究
 评论 ⋅  2021-12-11 15:59
干货满满！IFWS 2021：碳化硅功率器件与封装应用论坛成功召开！
 评论 ⋅  2021-12-10 21:53
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
西安电子科技大学袁海东：β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:19
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
西安交通大学王艳丰：大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:13
郑州大学刘玉怀：六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述
 评论 ⋅  2021-12-10 17:11
西安交通大学李强：hBN薄膜的制备与应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:08
南京大学况悦：κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲
 评论 ⋅  2021-12-10 17:06
郑州大学Mussaab I. Niass：蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:04
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