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聚灿光电与中科院半导体所开发高性能高光功率氮化物
 评论 ⋅  2021-12-24 18:41
国星光电：公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等
国星光电第三代半导体新产品GaN-DFN器件新能源汽车充电手机快充
 评论 ⋅  2021-12-24 18:36
小米公布第三款自研芯片澎湃P1，兼顾120W快充+大电池
小米第三款自研芯片澎湃P1120W快充大电池
 评论 ⋅  2021-12-24 18:11
比亚迪高功率汽车芯片生产已通线
 评论 ⋅  2021-12-23 19:51
建广扩容A股朋友圈遇挫 热门碳化硅标的借壳空港股份上市告吹
 评论 ⋅  2021-12-23 19:50
感测组件厂光磊改名台亚半导体，宣布进军第三代半导体
 评论 ⋅  2021-12-23 19:46
芯三代获超亿元融资，聚焦第三代半导体SiC-CVD装备
 评论 ⋅  2021-12-23 19:43
北京大学物理学院教授于彤军：大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:46
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊：氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:44
奥趋光电王琦琨博士：PVT法生长高质量大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战
 评论 ⋅  2021-12-23 16:42
中科院苏州纳米研究所司志伟：助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能
 评论 ⋅  2021-12-23 16:38
日本产业技术综合研究所沈旭强：无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
 评论 ⋅  2021-12-23 16:29
中科院半导体研究所张逸韵：玻璃衬底氮化物异构外延
 评论 ⋅  2021-12-23 16:25
中镓半导体刘强：2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长
 评论 ⋅  2021-12-23 16:20
河北半导体研究所高楠：国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
 评论 ⋅  2021-12-23 16:16
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔：基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:14
最新关注 氮化物半导体衬底与外延技术进展
 评论 ⋅  2021-12-23 16:09
日本首相顾问呼吁：未来10年应向半导体行业投入880亿美元
 评论 ⋅  2021-12-22 17:06
瑞芯微发布系列车载电子解决方案
 评论 ⋅  2021-12-22 16:53
基于氮化镓业务发展的考虑 赛微电子(300456.SZ)拟转让聚能国际24.5%股权
氮化镓业务发展赛微电子聚能国际
 评论 ⋅  2021-12-22 16:52
天岳先进在科创板招股书注册稿生效，2021年第三季度利润有所下滑
 评论 ⋅  2021-12-22 16:47
中科钢研高纯碳化硅粉和智能高端装备制造项目开工
 评论 ⋅  2021-12-22 16:45
三安光电副总陈东坡：碳化硅器件在长续航新能源车型中渗透率或将达100%
 评论 ⋅  2021-12-22 16:36
划重点！上海高端装备产业发展“十四五”规划出炉，产值将突破7000亿元
 评论 ⋅  2021-12-21 19:31
山西烁科晶体马康夫：化合物半导体材料发展展望
 评论 ⋅  2021-12-21 09:59
又一家碳化硅功率器件厂商完成C轮亿元级融资
 评论 ⋅  2021-12-20 21:05
厦门大学校长张荣教授：宽禁带半导体全面支撑光电子技术的可持续发展
厦门大学校长张荣教授宽禁带半导体光电子技术
 评论 ⋅  2021-12-20 16:19
GB20943国家强制能效标准升级已全面启动
 评论 ⋅  2021-12-20 15:26
晶方科技拟加强对第三代半导体氮化镓器件公司VisIC的投资
晶方科技以色列第三代半导体VisIC投资
 评论 ⋅  2021-12-20 15:23
联盟积极对接院校机构 共建产教融合基地
 评论 ⋅  2021-12-20 09:56
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