近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“氮化物半导体衬底与外延技术“分论坛上，日本产业技术综合研究所上级主任研究员沈旭强，北京大学物理学院教授于彤军，深圳大学物理与光电工程学院副院长、教授武红磊，河北半导体研究所高楠，中国科学院半导体研究所研究员张逸韵，奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮，中镓半导体科技有限公司顾问刘强，中国科学院苏州纳米所纳米研究所司志伟，中国科学院宁波材料技术与工程研究所助理研究员陈荔等精英专家们通过线上线下等方式带来精彩报告，分享前沿研究成果。北京大学理学部副主任、教授沈波，北京大学物理学院教授于彤军共同主持了本次论坛。
由于在光学和电子设备应用中的潜在特性，AlN是一种很有前途的材料。最近，深紫外 (DUV) 光电器件由于其各种应用问题而备受关注。日本产业技术综合研究所上级主任研究员沈旭强分享了题为“无氨高温MOCVD生长的高质量极性和半极性氮化铝”的视频主题报告，研究提出了一种名为无氨高温金属有机化学气相沉积 (AFHT-MOCVD) 的生长技术，用于高质量的AlN生长，其环境友好且成本低。该生长技术的特点是无氨和高生长温度（~1600℃），适合高质量的AlN生长。
北京大学物理学院教授于彤军带来了题为“大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究”的主题报告，结合具体的数据和结果，详细分享了同质PVT中的蔓延生长过程、PVT生长源粉的氧杂质控制、2英寸AlN单晶的研究进展等内容。同质PVT生长的技术路线，可以成功制备2英寸AlN单晶衬底，是大尺寸AlN晶体制备可行的方案。
中国科学院半导体研究所研究员张逸韵做了题为“氮化物‘异构外延’”的主题报告，详细介绍了非晶玻璃上氮化物的异质外延以及通过应变工程实现高外延，涉及如何控制平面内旋转、非晶子上近单晶氮化物薄膜的外延、非晶石墨烯-玻璃晶圆上的高效LED等内容。
中镓半导体科技有限公司顾问刘强做了题为“2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长”的主题报告，结合用于PA应用的HEMT、用于LD的高导电GaN衬底、用于PND的高导电GaN衬底的状况，分享了应力和错位控制、电导控制的研究进展。
与蓝宝石、SiC等异质衬底相比，国产四英寸GaN衬底尚处于起步阶段，基于国产四英寸GaN衬底的AlGaN/GaN HMET仍处于研发阶段。河北半导体研究所高楠做了题为“国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料”的线上主题报告，研究在国产四英寸GaN衬底上通过金属有机物化学气相淀积法，生长出了高质量的AlGaN/GaN HEMT外延材料。
中国科学院苏州纳米所纳米研究所司志伟做了题为“助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能”的主题报告，研究以同质氮化镓(GaN)作为衬底，利用助熔剂法制备了近无应力、低位错密度和完美六方对称性的GaN微晶。由于氮化镓微晶形核时间不同而依次产生金字塔、微碟、平板状单晶形貌。为揭示氮化镓单晶光学性质提供了崭新的视角。
奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮做了题为“PVT法生长高质量大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战”的视频主题报告。结合AlN特性和潜在应用，分享了AlN PVT生长过程以及AI极性AlN晶体的生长和表征等内容。材料特性表明2英寸生产级块状AIN晶片的质量最高。试生产基于第三代PVT生长反应器的10mm/10mm*10mm/15mm/20mm/25mm/30mm/50.8mm体AIN硅片，并在可预见的未来大力扩大生产量。
深圳大学物理与光电工程学院副院长、教授武红磊带来了题为“氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究”的主题报告，分享了最新进展。报告主要开展氮化铝晶体物理气相传输法（PVT）制备装置及技术研究，实现无色英寸级氮化铝单晶制备。
半极性III族氮化物由于其用于光电器件的弱极化场而引起了极大的关注。高质量的半极性AlN模板对于制造基于AlGaN的紫外光学器件至关重要。中国科学院宁波材料技术与工程研究所助理研究员陈荔做了“基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究“的主题报告，研究中半极性AlN是通过金属有机气相外延 (MOVPE) 在外国蓝宝石衬底上生长的。报告指出，高温退火和再生长过程被证明是实现高效半极性紫外半导体器件的稳定且可重复的技术。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
