科技部部长王志刚：完善科技创新体制机制
 评论 ⋅  2020-12-23 10:58
中电科55所李士颜博士：碳化硅功率MOSFET研究进展
 评论 ⋅  2020-12-17 17:54
深圳第三代半导体研究院杨安丽：抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
 评论 ⋅  2020-12-17 17:49
华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
重庆大学曾正:碳化硅功率模块的先进封装测试技术
 评论 ⋅  2020-12-17 17:39
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
厦门大学邱宇峰教授：碳化硅功率半导体器件在电力系统中的应用
 评论 ⋅  2020-12-17 17:17
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
英诺赛科谢文元：八英寸硅基氮化镓产业化进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:26
电子科技大学教授周琦：基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
 评论 ⋅  2020-12-16 18:23
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩：宽禁带功率器件的宇航应用技术
 评论 ⋅  2020-12-16 18:20
北京大学尹瑞苑：氮化镓MIS结构界面相关陷阱态：物性、表征及模型
 评论 ⋅  2020-12-16 18:17
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
Cree与Tek将于12月23日联合直播，宽禁带半导体SiC器件发展及在OBC应用
 评论 ⋅  2020-12-16 14:40
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
山东大学张雷：温度梯度对PVT法生长AlN晶体的影响
 评论 ⋅  2020-12-15 16:06
郑州大学刘玉怀：金刚石衬底上六方相氮化硼薄膜的有机金属气相外延
 评论 ⋅  2020-12-15 16:01
​东芝和富士电机将投资20亿美元发展功率器件
 评论 ⋅  2020-12-15 12:49
重磅！蒋尚义回归中芯国际！
蒋尚义中芯国际
 评论 ⋅  2020-12-15 11:51
世界先进寻求收购，缓解八英寸产能
 评论 ⋅  2020-12-15 11:37
2020半导体及元件企业50强
2020半导体元件企业50强
 评论 ⋅  2020-12-15 11:33
西安交通大学李强:磁控溅射沉积hBN薄膜的最新进展
 评论 ⋅  2020-12-14 17:38
湖北大学何云斌:高性能基于氧化镓的日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2020-12-14 17:23
上海光学精密机械研究所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
 评论 ⋅  2020-12-14 17:19
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
Cree | Wolfspeed 功率产品市场与应用高级总监Guy Moxey：SiC技术在电动公共汽车市场应用
CreeWolfspeed功率产品GuyMoxeySiC技术电动公共汽车市场应用
 评论 ⋅  2020-12-14 13:59
中美半导体战争之二 繁花与荆棘，两岸半导体早期发展简史
中美半导体战争两岸半导体
 评论 ⋅  2020-12-14 10:43
国产汽车半导体极限突围
 评论 ⋅  2020-12-14 10:40
广东芯聚能总裁周晓阳：SiC功率模块在新能源汽车中的应用及其挑战
 评论 ⋅  2020-12-11 16:44
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