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中镓半导体刘强:2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长
河北半导体研究所高楠:国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔:基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
最新关注 氮化物半导体衬底与外延技术进展
日本首相顾问呼吁:未来10年应向半导体行业投入880亿美元
山西烁科晶体马康夫:化合物半导体材料发展展望
厦门大学校长张荣教授:宽禁带半导体全面支撑光电子技术的可持续发展
厦门大学
校长
张荣
教授
宽禁带半导体
光电子技术
GB20943国家强制能效标准升级已全面启动
联盟积极对接院校机构 共建产教融合基地
芯聚能总裁周晓阳:碳化硅应用于新能源汽车电机电控系统的挑战与优化思路
广东芯聚能周晓阳:SiC应用于新能源汽车电驱电控系统的挑战与优化思路
华东光电集成器件研究所展明浩:MEMS传感器发展现状及在自动驾驶中的应用
上海瞻芯电子杨义:SiC MOSFET多管并联均流驱动技术探讨
北京一径科技邵嘉平:MEMS LiDAR将主导未来车载激光雷达商业化落地
浙江老鹰半导体莫庆伟:VCSEL技术发展及其在智能感测与汽车雷达中的应用
广东晶科电子何贵平:车规LED技术进阶及新产品形态
上海电驱动电控研究院院长陈雷:功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用
应用进行时 车用半导体创新合作峰会成功召开
中科院半导体研究所张连:亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
南京电子器件研究所张凯:大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
西安电子科技大学刘志宏:面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
中电科第十三研究所梁士雄:基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平:宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
日本德岛大学教授敖金平:转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE:i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
中国科技大学Alsaman A. amgad:HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
IFWS2021:射频电子器件与应用论坛成功举行
美国Analog设备张薇葭:基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
关于国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度公开指南项目安排公示的通知
北京大学物理学院杨学林:Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
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