【CASMITA信息汇总】台积电EUV光刻机采购将超过50台,博世、恩智浦、中车株洲、百识、晟芯.....

日期:2020-09-28     来源:第三代半导体产业网    
核心提示:9月28日消息,台积电加速先进制程推进,近期扩大释单,累计 EUV 机台至 2021年底将超过50台。报道指出,相较之下,三星电子(Samsung Electronics)2021 年还不到 25 台,同时 EUV POD(光罩传送盒)采购量远低于预期。台积电 8 月举行了年度技术研讨会,透露了其在尖端制造实力方面的情况。台积电占据了业界 EUV(极紫外光)设备安装量的 50%。此外,台积电还拥有约 60% 的 EUV 晶圆累计产量。
 1、台媒:台积电EUV光刻机采购将超过50台 远超三星

 

9月28日消息,台积电加速先进制程推进,近期扩大释单,累计 EUV 机台至 2021年底将超过50台。报道指出,相较之下,三星电子(Samsung Electronics)2021 年还不到 25 台,同时 EUV POD(光罩传送盒)采购量远低于预期。

 

台积电 8 月举行了年度技术研讨会,透露了其在尖端制造实力方面的情况。台积电占据了业界 EUV(极紫外光)设备安装量的 50%。此外,台积电还拥有约 60% 的 EUV 晶圆累计产量。

 

2、博世80亿元投入智能科技!首发碳化硅功率器件新技术

 

在9月26日开幕的北京车展上,全球最大的汽车零部件集团博世展示了其电气化、自动化、互联化交通出行的创新性技术与前沿解决方案。其中,博世的燃料电池电堆、智能驾舱都是首次在中国展出。另外,博世的碳化硅功率器件是首次在全球亮相。

 

其中,博世新开发的碳化硅功率器件是一项新材料运用技术,与传统硅基材料产品相比,碳化硅功率器件在实现更高开关频率的同时,保持较低能量损耗和较小芯片面积,为电动汽车和混合动力汽车增加高达6%的续航里程。

 

燃料电池电堆也是首次在中国展示,这凸显了博世在中国发展氢燃料电池的战略。博世中国的燃料电池中心将于今年底建成,预计明年开始实现电堆的小批量生产。此外,在此次车展中,博世还展示了其电子空气压缩机、氢气喷射器、氢循环泵等关键零部件。

 

中国是全球最大的新能源汽车市场。博世正在这一领域大力投入和开发,为混合动力和电动车提供全面的产品组合,包括电机、电桥、电力电子控制器、车载冲配电单元、48V系统、制动和转向系统等。目前,博世在中国已经成为除主机厂外出货量最大的电机供应商。今年,博世的电桥和IGBT功率模块将率先实现批量生产,供应给在华客户。

 

博世集团董事会成员、汽车与智能交通技术业务部门主席Stefan Hartung博士在现场的视频连线中表示,博世仍将在燃料电池技术、自动驾驶和汽车电子电气架构等重要的业务增长领域继续进行投资和不断创新。今年博世集团在电气化、自动化和互联化交通领域的投入仍将保持高位,预计超过10亿欧元(人民币约80亿元)。

 

在中国布局上,博世在中国现在研发人员已经增长到7800多名,比上一年增长300多名。博世中国创新与软件研发中心今年已经开始团队工作,其全新大楼不久就已在无锡建成启用,这将进一步整合并加强中国本土的软件开发能力。博世在上海建立了其全球第7个人工智能中心,推动本土人工智能前沿技术的研发。此外,长沙热管理系统实验室、宁波两轮车生产研发基地也将在今年投入使用。

 

3、恩智浦RF氮化镓功率放大器生产线在美开工

 

恩智浦斥资1亿美元,用于扩建5G手机网络晶体管和RF功率放大器的生产线在美国亚利桑那州钱德勒工厂日前正式投入运营。

 

该生产线已经雇佣约100名员工从事氮化镓(GaN)的制造工作,该工艺技术可以用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路,由于对发射功率的特殊要求,5G基站对功率放大器提出了更多需求。氮化镓凭借高频、高输出功率的优势,正在5G基站功率放大器领域得到越来越广泛的应用。此外,在恩智浦钱德勒硅制造厂附近,还有250名工人从事氮化镓的制造和研发工作。

 

4、45亿!砷化镓集成电路芯片生产线等项目落户江西

 

日前,赣州经开区举行项目集中签约仪式,总投资近45亿元的14个项目集中落户。项目签约方代表、区直、驻区有关部门(单位)主要负责人、金融机构等有关负责人参加。

 

东宏光电科技股份有限公司6英寸砷化镓集成电路芯片生产线项目签约仪式现场

 

此次签约的14个项目,分别是东宏光电科技股份有限公司6英寸砷化镓集成电路芯片生产线项目,赣州芯聚微电子有限公司芯片设计及封装测试项目等14个项目。

 

据了解,赣州经开区始终把招商引资作为“头号工程”来抓,围绕双首位产业进一步优化投资政策,通过开展小分队招商、服务产业链招商、推进“三请三回”、推行“不见面”招商等进一步创新招商方式,并积极主动对接粤港澳大湾区重点目标企业和世界500强行业知名企业以及双首位产业全产业链企业,持续招才引智,取得了阶段性成果。

 

截至目前,赣州经开区共签约项目93个、签约资金653.5亿元,引进投资1亿元以上项目61个,其中引进投资10至50亿元的项目14个,投资50至100亿元的项目1个,投资100亿元以上的项目1个。

 

5、总投资30亿元!百识第三代半导体6英寸晶圆制造项目落户南京浦口

近日,第31届中国南京金秋经贸洽谈会上,投资30亿元的百识第三代半导体6英寸晶圆制造项目成功签约南京浦口。

 

该项目由南京百识电子科技有限公司建设,总投资30亿元,拟用地80亩,建立第三代半导体外延片+器件专业代工,可以承接国内外IDM与designhouse的委托制作订单,串接国内上下游产业链,达到第三代半导体芯片国造的目标,产品主要应用于5G基站、电动车、雷达、快速充电器等。

 

南京百识电子科技有限公司是第三代半导体外延代工服务商,日前宣布超募完成Pre-A轮融资,融资总额过亿元人民币。

 

2019年6月18日,南京百识半导体股份有限公司第三代半导体项目正式签约落户南京浦口经济开发区,而后,百识电子科技成立。该公司专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片,包含GaNonSilicon、GaNonSiC以及SiConSiC,针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供专业、高质量的碳化硅及氮化镓外延代工服务。

 

此前落地的百识第三代半导体项目总投资10亿元,项目计划在浦口经开区投资建设研发中心及生产线,整合海外创新技术与国内产业资源,对第三代半导体碳化硅和氮化镓外延片设计和管件制程等进行研发,产品可广泛应用于信息、新能源发电、新能源汽车、无人驾驶、轨道交通和智能电网等领域。

 

6、年产24万片IGBT,中车株洲汽车用功率半导体生产线投产

 

9月26日,中车株洲所汽车及工业用新一代功率半导体项目成果汇报会在湖南株洲召开,项目首批产品正式下线。

 

功率半导体器件是新能源汽车及其他工业领域重要的基础性产品,具有安全、环保、高效、低耗等优势。作为新能源汽车电驱动系统的重要组件,功率半导体器件对汽车电驱的效率、功率密度和可靠性起着主导作用,堪称“汽车之心”。随着新能源汽车电驱动的小型化和轻量化趋势,功率半导体器件需求出现大量增长,成为功率半导体产业的未来市场发展的重要方向之一,其中最先进的功率半导体器件—IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的需求增长最为迅速和强劲。

 

为此,中车株洲所基于其在功率半导体领域多年的积淀,建成以国际一流的第六代IGBT技术为基础的汽车用功率半导体生产线,形成从设计、制造、封装与测试等全套能力。该生产线达产后每年将新增24万片中低压IGBT的产能,预计可满足240万台新能源汽车的需求,将有力支撑我国新能源产业的蓬勃发展,为我国汽车工业提供新动力。

 

除在新能源汽车领域外,该类功率半导体产品还可以为智能电网、新能源发电、智能家电等工业领域带来新的发展动力。目前中车株洲所产品已广泛应用于轨道交通、智能电网、新能源汽车、新能源装备等领域,为我国“新基建”部署和实施提供基础支撑和保障。

 

我国每年约消耗全球40%的功率半导体器件,是全球最大的功率半导体需求国,但器件国产化率却不足10%,此次增产,将进一步完善湖南在功率半导体领域的产品链和市场布局,提升国内市场国产功率半导体的市场空间,并强化湖南在全国功率半导体产业领域的核心地位,助力湖南打造国内外有竞争力的功率半导体产业高地。

 

7、Macom推出碳化硅基氮化镓功率放大器系列

 

在虚拟国际微波研讨会(IMS)上,Macom宣布推出全新的碳化硅基氮化镓功率放大器产品线,并将其品牌定为Macom Pure Carbide。该公司还宣布推出该产品线的前两款新产品MAPC-A1000和MAPC-A1100。

 

"这一新产品线大大增强了我们现有射频功率产品组合的能力,"公司总裁兼首席执行官Stephen G. Daly说,"碳化硅基氮化镓是一项引人注目的技术,我们很高兴开始为客户提供标准和定制的Macom Pure Carbide功率放大器解决方案。"

 

MAPC-A1000是一款高功率碳化硅基氮化镓放大器,设计工作频率在30 MHz和2.7 GHz之间,采用表面贴装塑料封装。这款易于使用的通用放大器集成了一个输入匹配器,从而简化了客户的设计工作。当在为2.2 GHz同步带宽而设计的电路中进行测试时,该放大器可在500 MHz至2.7 GHz的范围内以大于50%的效率提供超过25 W (44dBm)的功率。

 

MAPC-A1100是一款高功率碳化硅基氮化镓放大器,设计工作频率高达3.5 GHz。该器件在气腔陶瓷封装中能够支持CW和脉冲操作,输出功率至少为65 W(48.1dBm)。

 

这两款新型通用放大器产品是航空电子、高功率移动无线电、无线系统和测试仪器的理想选择。

 

8、《Nano Letters》:南大制备迄今最薄的单晶杂化钙钛矿柔性光电探测器

 

南京大学物理学院彭茹雯教授和王牧教授研究组与北京大学马仁敏教授研究组等国内外五个单位合作,在柔性光电探测器的相关研究中取得重要进展。通过准静态溶液生长技术制备出厚度仅为20纳米的有机-无机杂化钙钛矿单晶薄膜,并基于此研制出超薄的高性能柔性光电探测器,有望推动柔性光电器件和可穿戴设备的发展,应用于仿生学、机器人科学以及医疗保健等领域。该研究成果以"Flexible Ultrathin Single-CrystallinePerovskite Photodetector"为题近日发表于国际着名学术期刊Nano Letters。

 

 

论文链接:https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.nanolett.0c02468

 

 

柔性光电探测器是可穿戴设备、可折叠显示器件、生物医学成像等系统中至关重要的有源器件。得益于高光学吸收系数、高载流子迁移率、可调节带隙等特性,有机-无机杂化钙钛矿材料在柔性光电器件中的应用已经有不少报道,但是,之前报道的此类器件大多基于多晶的杂化钙钛矿材料。与多晶材料相比,单晶杂化钙钛矿材料具有陷阱态密度低、载流子寿命长以及结构稳定性高等一系列优点。显然使用单晶钙钛矿材料有望进一步提高器件性能。但是由于单晶钙钛矿材料脆性大, 不易弯折,这类材料尚未在柔性光电探测器中得到广泛应用。

 

最近,彭茹雯教授和王牧教授研究组提出并研制出基于超薄的有机-无机杂化钙钛矿单晶薄膜的高性能柔性光电探测器。该研究组首先利用他们早期发展出的准静态溶液生长方法, 成功制备出有机-无机杂化钙钛矿(CH3NH3PbBr3)单晶超薄薄膜,其厚度可以降低至20nm。然后,创新性地构建出基于这种超薄单晶膜的柔性光电探测器(图一),并证实该光电探测器具有极其优秀的探测性能(图二)和柔性特征(图三)。

 

图一 构建基于超薄单晶有机-无机钙钛矿的柔性光电探测器

 

图二 超薄单晶有机-无机钙钛矿光电探测器的光电探测性能

 

 

图三 超薄单晶有机-无机钙钛矿光电探测器的柔性特征和性能稳定性

 

与之前报道的在可见光频段工作的其它柔性钙钛矿光电探测器相比,该杂化钙钛矿柔性光电探测器具有以下几个特点:第一,活性层厚度仅为20nm,是迄今最薄的杂化钙钛矿柔性光电探测器;第二,该光电探测器的响应率高达5600 A/W,比此前报道的其它杂化钙钛矿柔性光电探测器高出两个数量级。第三,该光电探测器具有0.2MHz的3dB带宽,实现了快速的光探测;此外,由于将钙钛矿薄膜的厚度降低至20nm,杂化钙钛矿在保持高光电转换效率的同时具有很好的机械柔韧特性,从而该柔性光电探测器在弯曲中能保持稳定的光电探测性能,其光电流和开关比等在弯曲过程中保持基本不变,等等。

 

值得一提的是,这种基于准静态溶液生长的制备技术可以全程在室温附近实现,具有简单的制备程序和低廉的制备成本,研制出的高性能柔性钙钛矿光电探测器可望集成于可穿戴设备和其它柔性光电子器件中,比如人造眼、柔性智能手机等等。该项研究丰富了超薄单晶杂化钙钛矿材料的制备手段,发展了高性能的杂化钙钛矿柔性光电器件,可望推动仿生器件、可穿戴智能设备、可折叠多功能设备等新型集成器件的研制,应用于仿生学、生物传感以及医疗保健等领域。

 

 

此项工作由南京大学彭茹雯和王牧、北京大学马仁敏、复旦大学包文中、天津理工大学王迪、南京信息工程大学苏静、美国西北大学孙成等国内外六个研究组合作完成。其中,南京大学物理学院应届博士毕业生景灏完成了大部分工作,他是该论文的第一作者。南京大学彭茹雯教授、北京大学马仁敏教授和南京大学王牧教授是该论文通讯作者。南京大学物理学院研究生何捷、周易、李成尧、刘雨和应届博士毕业生朱瑛莺也参与了该工作。该项研究受到国家重点研发计划和国家自然科学基金委的资助。来源:南京大学

 

9、四部委:加快在光刻胶等领域实现突破,实施新材料创新发展行动


近日,国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部等四部门联合印发了《关于扩大战略性新兴产业投资 培育壮大新增长点增长极的指导意见》。

 

《指导意见》提出了三方面重点任务:

 

一是聚焦重点产业投资领域。针对新一代信息技术、生物产业、高端装备制造、新材料、新能源、智能及新能源汽车、节能环保和数字创意八大战略性新兴产业,《指导意见》要求结合当前产业发展的实际情况,聚焦重点方向、关键环节和未来趋势,加快适应、引领、创造新需求,培育新的投资增长点,推动重点产业领域加快形成规模效应,着力培育壮大新增长点增长极。

 

例如,加快新材料产业强弱项方面,要求围绕保障大飞机、微电子制造、深海采矿等重点领域产业链供应链稳定,加快在光刻胶、高纯靶材、高温合金、高性能纤维材料、高强高导耐热材料、耐腐蚀材料、大尺寸硅片、电子封装材料等领域实现突破。实施新材料创新发展行动计划,提升稀土、钒钛、钨钼、锂、铷铯、石墨等特色资源在开采、冶炼、深加工等环节的技术水平,加快拓展石墨烯、纳米材料等在光电子、航空装备、新能源、生物医药等领域的应用。

 

二是打造产业集聚发展新高地。《指导意见》提出,构建产业集群梯次发展体系,培育和打造10个具有全球影响力的战略性新兴产业基地、100个具备国际竞争力的战略性新兴产业集群,引导和储备1000个各具特色的战略性新兴产业生态,形成分工明确、相互衔接的发展格局。适时启动新一批国家战略性新兴产业集群建设。培育若干世界级先进制造业集群。

 

三是增强资金保障能力。《指导意见》要求从三方面着力做好扩大战略性新兴产业投资的资金保障工作。第一,统筹用好各级各类政府资金、创业投资和政府出资产业投资基金,创新政府资金支持方式;第二,鼓励金融机构创新开发适应战略性新兴产业特点的金融产品和服务,探索建立新兴产业金融服务中心或事业部。优化发行上市制度,加大科创板等对战略性新兴产业的支持力度。第三,依托国有企业主业优势,引领、带动各类所有制企业加大战略性新兴产业投资布局力度。鼓励具备条件的各类所有制企业独立或联合承担国家各类战略性新兴产业研发、创新能力和产业化等建设项目。

 

为进一步扩大战略性新兴产业投资,《指导意见》围绕优化投资服务环境,提出了四方面政策保障措施。一是深化“放管服”改革,二是优化项目要素配置,三是完善包容审慎监管,四是营造良好投资氛围。

 

 

10、江宁开发区企业发布6寸碳化硅MOSFET 70mΩ产品

 

9月21日,位于江宁开发区的南京晟芯半导体有限公司、晟芯世科电力电子(南京)有限公司举办新品发布会,正式发布公司研制的首款拥有自主知识产权的工业级6寸1200V 70mΩ碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。

 

晟芯半导体是一家致力于高效率半导体器件研发生产的企业,落户江宁开发区以来,通过与国际专业电力电子技术方面的人才合作,自主研发设计以FRD、 MOSFET、IGBT为主要产品的单管及模块,打造国内领先的功率半导体领域的民族品牌企业。

 

当天发布的新产品,是晟芯世科团队经过半年多紧张设计与研发的成果,各项性能指标达到预期设计目标,处于国内领先水平。

 

据发布会现场该项目负责人介绍,碳化硅功率半导体产品可以大幅提高功率模块效率和频率,从而达到节能的目标,该产品将用于电动汽车、充电桩、车载充电机、UPS、太阳能及风能并网、高铁、智能电网等,以高性价比、高质量及高技术优势填补国内碳化硅功率半导体的部分空白市场。

 

​企业负责人介绍,晟芯半导体、晟芯世科电力电子、晟华半导体将积极布局SiC等第三代宽禁带半导体器件,争取早日实现工业级(JEDEC)和车规级(AEC Q101)碳化硅(SiC)MOSFET产品量产,致力于成为国际一流的功率半导体芯片设计和封装测试公司,为国家未来十年的高端芯片以及新能源事业贡献力量。

 

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