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中国电科46所氮化铝单晶材料关键技术取得重大突破
 评论 ⋅  2022-12-26 17:57
港府：发展半导体芯片并非走他人老路，第三代氮化镓芯片是全球新趋势
 评论 ⋅  2022-12-26 10:12
快讯|奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶
 评论 ⋅  2022-12-23 07:50
硅基氮化镓Micro-LED，实现高速可见光通信信号探测
 评论 ⋅  2022-12-19 18:47
CASA发布T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
 评论 ⋅  2022-12-09 15:16
第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体完成数亿元C轮融资
 评论 ⋅  2022-12-08 12:15
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
GaN)电源转换产品供货商Transphorm拓展中国区业务，扩大氮化镓应用实验室
 评论 ⋅  2022-12-02 17:03
长光华芯联合中科院苏州纳米所共建“氮化镓激光器联合实验室”
 评论 ⋅  2022-12-02 09:53
苏州半导体激光创新研究院、中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”揭牌成立
 评论 ⋅  2022-11-30 09:39
世界先进宣布0.35微米650 V氮化镓制程进入量产
 评论 ⋅  2022-11-23 22:15
长平时代发布用于车载电子的900V硅基氮化镓外延片
 评论 ⋅  2022-11-17 14:13
纳微氮化镓（GaN）半桥功率芯片专利布局解读
 评论 ⋅  2022-11-14 16:07
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:24
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产
 评论 ⋅  2022-11-02 11:02
华清电子材料实现了超大尺寸高导热氮化铝陶瓷加热底盘的突破
 评论 ⋅  2022-10-24 10:08
IFWS 2022前瞻：氮化物衬底材料生长与外延
 评论 ⋅  2022-10-21 10:27
千里新材高性能氮化硅制品产业化及总部基地项目开工
 评论 ⋅  2022-10-20 10:55
格芯获得 3000 万美元政府资金用于氮化镓 GaN 芯片生产
 评论 ⋅  2022-10-18 17:09
半导体所等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-10-14 17:45
上海出台措施发展展壮大未来产业集群 推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体化合物发展
 评论 ⋅  2022-10-11 17:31
IFWS 2022前瞻：氮化镓功率电子材料与器件技术新进展
 评论 ⋅  2022-10-10 15:25
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:13
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
研究人员利用氮化镓开发新型电子设备
 评论 ⋅  2022-09-14 15:10
第三代半导体氮化镓（GaN）产业剖析
 评论 ⋅  2022-09-14 15:03
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP：利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
 评论 ⋅  2022-09-14 13:59
宏光半导体与协鑫集团拟于氮化镓功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作
 评论 ⋅  2022-09-08 08:43
氮化物宽禁带半导体企业中博芯宣布完成Pre-A轮融资
 评论 ⋅  2022-09-06 18:52
氮化镓功率芯片厂商纳微半导体收购SiC公司GeneSiC 加速在电动汽车等领域扩张
 评论 ⋅  2022-09-01 15:28
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