IFWS 2022前瞻:氮化物衬底材料生长与外延

日期:2022-10-21 来源:半导体产业网阅读:681
核心提示:氮化物衬底材料生长与外延技术分会作为重要分论坛,目前已经确认最新报告嘉宾正式出炉!

2022年11月7-10日, 一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)&第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2022)将于苏州国际博览中心召开。其中,氮化物衬底材料生长与外延技术分会作为重要分论坛,目前已经确认最新报告嘉宾正式出炉!

氮化物衬底材料生长与外延

以碳化硅、氮化镓等重要的第三代半导体材料,在大功率高频器件中具有重要的应用。材料水平直接决定了器件的性能。对作为新材料的氮化镓材料而言,寻找到更加合适的衬底是发展氮化镓技术的重要目标。氮化物衬底材料的生长与外延非常重要。

据组委会透露,作为IFWS&SSLCHINA2022重要分会,氮化物衬底材料生长与外延技术分会将由北京大学理学部副主任沈波教授,江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长徐科研究员,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵研究员,江苏第三代半导体研究院副院长毕文刚研究员,江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官杨敏博士等业内知名专家共同召集。目前已经确认有来自美国斯坦福大学、日本国立物质材料研究所、南京大学、中国科学院半导体所、北京大学、奥趋光电技术(杭州)有限公司、北京正通远恒科技有限公司、武汉大学等科研机构与知名企业专家代表共同参与,就氮化物衬底材料生长与外延技术分享主题报告。

目前确认报告嘉宾如下:(仍有部分嘉宾报告正在确认中):

·Adding efficiency to electronics with III-Nitride technology

Srabanti CHOWDHURY——美国斯坦福大学电气工程副教授

 

·基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术

修向前——南京大学教授

 

·平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长

赵德刚——中国科学院半导体所研究员

 

·TBD

王建峰——苏州纳维科技有限公司总经理

 

·AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究

许福军——北京大学物理学院副教授

 

·PVT法同质外延AlN生长和p型掺杂面临的挑战 

吴亮——奥趋光电技术(杭州)有限公司首席执行官

 

·定量阴极发光CL技术在氮化物半导体中的应用

刘兵武——北京正通远恒科技有限公司总经理

 

·无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术

袁超-——武汉大学工业科学研究院研究员

 

·High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication

王国斌——江苏第三代半导体研究院研发部负责人

 

·利用AlN传导层在GaN衬底上外延生长金刚石薄膜及其热传输特性

桑立雯——日本国立物质材料研究所独立研究员

 

部分嘉宾简介

沈波,北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人,国家973计划项目首席科学家、国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员,享受国务院特殊津贴。先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所研究员,东京大学先端科技研究中心、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所访问教授。

 

1995年迄今一直从事III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体材料、物理和器件研究,在GaN基量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 宽禁带半导体缺陷物理、GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持和和作为核心成员参加国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项国家级科研课题,先后与华为、京东方、彩虹集团、广东光大集团和中国电科13所、55所等企业开展了一系列科研合作。迄今发表学术论文300多篇,论文被引用4000多次,获得/申请国家发明专利50多件,在国内外学术会议做大会和分会邀请报告20多次, 多次担任国际学术会议顾问委员会、程序委员会、组织委员会主席和委员,先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。部分研究成果实现了产业化应用,并产生了显著的经济和社会效益。

徐科,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副所长、研究员,江苏第三代半导体研究院院长。国家杰出青年基金获得者。1988~1995年就读于西安交通大学,获硕士学位,1998年于中科院上海光学精密机械研究所获博士学位。1999~2002年在日本千叶大学光电子研究中心做博士后,2002~2004年在日本科学技术振兴事业团,参加超高速省电力高性能纳米器件/系统研发项目,2004~2006年任教于北京大学,2006年起加入中科院苏州纳米所,任测试分析平台主任。曾荣获2007年“苏州工业园区首届科技领军人才”称号、2008年“首届姑苏创新创业人才”、“江苏省双创人才”称号、2010年荣获第十三届中国科协“求是杰出青年奖”、2011年苏州市市长奖,2012年荣获全国产学研合作创新成果奖、中国科学院国际合作青年科学家奖,2013年获得国家杰出青年基金资助,2013年苏州市魅力科技人物。现任“863”计划新材料领域主题专家、国家纳米标准委员会委员。

一直围绕高质量氮化物半导体材料生长、相关材料与器件物理开展研究。开展了多种与GaN晶格匹配的单晶体生长,在LiAlO2(100)衬底上用MOCVD方法首次外延生长出非极性m面GaN;系统研究了GaN的MOCVD和MBE生长机理,氮化物的极性选择、极性控制,阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响,是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一;近年来重点开展氮化物的氢化物气相外延(HVPE)生长研究、极低缺陷密度氮化物材料的物性研究,研发出可以连续稳定生产GaN单晶衬底的HVPE系统,开发出高质量完整2英寸单晶氮化镓衬底,并实现批量生产;组织开展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制、微纳尺度原位加工与测试技术的融合,并用于半导体中单个缺陷和低维结构的新奇物性研究。发表SCI论文70余篇,申请专利40余项,国际专利一项,国际会议特邀报告20余次。承担了国家自然科学基金、973重大研究计划、863项目、科技部国际合作项目、中科院装备研制项目、江苏省重大科技成果转化专项、发改委战略新兴产业化示范项目等。

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Srabanti CHOWDHURY,美国斯坦福大学电气工程副教授。Srabanti Chowdhury是电气工程(EE)副教授和斯坦福大学预科学院高级研究员。她领导斯坦福大学宽带隙实验室,在那里她的研究重点是宽带隙(WBG)和超宽带隙(UWBG)材料和器件工程,以实现高效紧凑的电子系统架构,包括功率RF和计算应用。除了氮化镓之外,她的团队还在探索钻石的各种主动和被动电子应用,特别是热管理。Srabanti获得了加州大学圣巴巴拉分校电气工程硕士和博士学位,从事垂直GaN开关的研究。2015年,她获得了DARPA青年教师奖、NSF CAREER和AFOSR青年研究员计划(YIP)。2016年,她在化合物半导体国际研讨会(ISCS)上获得了青年科学家奖。她是IEEE的高级成员,也是NAE工程前沿的校友。她于2020年获得了阿尔弗雷德·P·斯隆(Alfred P.Sloan)物理学奖学金。迄今为止,她的工作已经产生了超过6个书籍章节、90篇期刊论文、110篇会议报告和26项已颁发专利。她为多个IEEE会议(包括IRPS和VLSI研讨会)的计划委员会以及IEDM的执行委员会服务。她担任Transaction Electron Devices的副主编,以及IEEE Electron Device Society下属的两个委员会(复合半导体器件与电路委员会成员和功率器件与集成电路委员会)。她是美国能源部资助的能源前沿研究中心(简称ULTRA)的科学合作主任。

修向前 

修向前,南京大学教授。主要从事基于III族氮化物宽带隙半导体衬底材料与设备以及III族氮化物纳米结构材料与器件等的研究和应用。2017年,主持的国家重点研发计划“第三代半导体核心关键装备”获得立项。近5年,主持/参与863计划、973、国家自然科学基金、国家自然科学基金重大项目、江苏省自然科学基金等项目共10余项。共发表SCI/EI等学术论文80余篇,其中SCI论文60余篇。已获得授权国家发明专利31项(第一发明人20余项),申请国家发明专利30余项。编写论著9章。相关研究成果“III族氮化物半导体极化和缺陷研究”获得2010年度“高等学校科学研究优秀成果奖(科学技术)”自然科学奖一等奖,本人排名第二。研究方包括GaN基Ⅲ族氮化物的衬底材料生长、性质和器件研究;氢化物气相外延设备研制与应用;微纳米氮化物半导体材料与器件研究。

赵德刚

赵德刚,中国科学院半导体所研究员、博士生导师、光电子研究发展中心主任,主要从事GaN基光电子材料生长与器件研究,对材料生长机理、材料物理、器件设计及器件物理有较深入的理解和认识,解决了GaN材料大失配异质外延技术等关键难题,研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器,还在碳杂质研究做出了系统性、创新性工作。主持和承担了国家重点研发计划、863、国家自然科学基金等多个项目,在Applied Physics Letters等著名学术刊物上发表SCI论文270多篇,获得国家发明专利30多项,撰写中文、英文专著各一章。在GaN器件方面,设计出能够监测紫外波长的新型器件,提出了利用紫外探测器的响应光谱对p-GaN载流子浓度进行测量的新方法;研究了p-GaN的欧姆接触工艺技术,实现了良好的欧姆接触特性,揭示了欧姆接触、空位缺陷和碳杂质对探测器的影响机理;研究了InGaN量子阱界面控制方法,分析了量子阱的电荧光光谱随注入电流变化的机制,并提出了相应的物理模型;提出了降低吸收损耗、抑制电子泄漏的多种激光器新结构,阐述了V型缺陷和碳杂质破坏发光器件性能的物理机制;研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器以及紫外雪崩光电探测器。

许福军

许福军,北京大学物理学院副教授。主要研究领域为宽禁带半导体材料和器件物理。近年来主要开展AlGaN 基深紫外发光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低维量子结构外延生长、缺陷控制和AlGaN的电导率调控等方面开展了较系统的研究工作,在高质量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高载流子浓度p型AlGaN方面均达到国际先进水平,并在团队支撑下突破了高性能深紫外发光二极管(LED)器件研制的关键技术,正推动科研成果落地付诸产业化实践。近年来,作为负责人承担国家自然科学面上基金3项;作为子课题负责人参与国家重点研发计划项目1项、北京市科委重点项目1项,山东省重点研发计划项目1项和广东省重点研发计划项目1项。迄今以一作/通讯作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共发表SCI 收录论文30多篇,获得/申请国家发明专利10多件。 

吴亮

吴亮,奥趋光电技术(杭州)有限公司首席执行官。国际知名晶体生长工艺与模拟仿真科学家,有近20年半导体、光伏及各种单晶生长工艺研究、开发与研发领导经验。曾供职于英特尔技术发展有限公司、比利时FEMAGSoft SA(高级研发工程师、驻北京首席代表等)、苏州协鑫工业应用研究院有限公司(副院长,现协鑫中央研究院)、协鑫太阳能材料有限公司(总工程师)等,现任奥趋光电技术(杭州)有限公司CEO。吴亮博士曾承担日本、德国、比利时等多家世界500强企业或政府组织在半导体材料领域的专业化合作研究,申请/授权国内国际专利50余项,在德国出版晶体生长专著一部,发表各种期刊/会议论文及各种国际/国内邀请报告100多篇/次)。 

袁超

袁超,武汉大学工业科学研究院研究员,长期从事宽禁带器件表征和热管理研究工作,在薄膜尺度热反射表征方法(thermoreflectance)、声子热输运理论、以及(超)宽禁带半导体器件设计等领域具有一定的技术优势和科研特色。承担多个国家/省部级重大战略需求的纵向科研项目,迄今共发表国际SCI论文30余篇。长期和国内外知名半导体企业和研究机构合作,拥有丰富的产学研经验。

桑立雯

桑立雯,日本国立物质材料研究所独立研究员。2010年毕业于北京大学,获理学博士学位。2010年4月加入日本国立物质材料研究所(National Institute for Materials Science)进行博士后研究,2014年拿到该所终身职位,目前是该所国际纳米材料研究中心(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),NIMS) 独立研究者。2012年和2019年两次获得日本科学振兴机构(JST)杰出青年先驱计划PRESTO,2017年获得国际缺陷领域the James W. Corbet Prize,2022年获得日本国家文部科学省科学技术领域文部科学大臣若手科学者奖, 该奖项是日本青年研究人员最高奖。桑立雯研究员课题组主要从事III-V族氮化物界面调控及光电机械器件研究,已发表SCI论文110余篇,总引用次数2800余次(h指数26),参与撰写英文专著2部。

王建峰
王建峰,苏州纳维科技有限公司总经理
 

刘兵武,北京正通远恒科技有限公司总经理

 

更多论坛信息

 更多论坛信息:

会议时间:2022年11月7日-10日

会议地点:中国 - 苏州 - 苏州国际博览中心G馆

 

日程安排

分论坛日程图

注册权益收费表

参会注册价格表

备注:*中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

IFWS相关会议包括:开幕大会,碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件,闭幕大会。

*SSLCHINA相关会议包括:开幕大会,氮化物衬底材料生长与外延技术,固态紫外材料与器件,LED芯片、封装与光通信,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,生物农业光照技术,教育照明与健康光环境,光医疗应用技术,化合物半导体激光器技术,闭幕大会。

*产业峰会包括:柔性显示技术产业高峰论坛、生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会、智慧照明设计与应用峰会。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除一定的退款手续费。

*自助餐包含:11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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