IFWS 2022前瞻:氮化镓功率电子材料与器件技术新进展

日期:2022-10-10 来源:半导体产业网阅读:720
核心提示:2022年11月7-10日, 一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 202

论坛头图

2022年11月7-10日, 一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)&第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2022)将于苏州国际博览中心召开。

国际第三代半导体论坛(IFWS)是由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)在中国地区举办的、具备较强影响力的第三代半导体领域年度盛会,是引领全球第三代半导体新兴产业发展,促进相关产业、技术、人才、资金、政策合力发展的全球性、全产业链合作的高端平台和高层次综合性论坛。

中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)伴着中国半导体照明产业的发展一路成长起来,已成为半导体照明领域最具规模,参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。十几年的时间里,论坛尽最大力量打造国际性舞台,邀请全球顶级专家,传递最前沿的产业、技术发展信息。

本次两大论坛移师苏州召开,一边是不断发展壮大的区域产业实力派,一边是行业发展风向标。2022年两者强强联手将碰撞出怎样的火花,非常令人期待。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

氮化镓分会

据组委会透露,本届论坛的“氮化镓功率电子材料与器件”技术分会,由电子科技大学教授张波、加拿大多伦多大学教授吴伟东、中山大学教授刘扬、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱、西安电子科技大学副校长、教授张进成、珠海镓未来科技有限公司总裁吴毅锋。润新微电子(大连)有限公司总经理梁辉南、北京大学信息科学技术学院副教授王茂俊等国内外代表专家共同召集,并将有来自美国弗吉尼亚理工大学、加拿大滑铁卢大学、瑞士洛桑联邦理工学院、南方科技大学、英诺赛科等国内外科研院所与代表企业的专家们将带来一大波精彩报告,分享氮化镓功率器件技术领域的最新进展。

据了解,美国弗吉尼亚理工大学助理教授张宇昊将分享“中高压(1-10 kV)氮化镓功率器件新进展”,加拿大滑铁卢大学副教授Lan Wei带来MVSG_CMC GaN HEMT紧模型的最新进展,瑞士洛桑联邦理工学院副教授Elison MATIOLI将分享高效集成GaN功率器件的新技术,中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国将带来关于AlGaN/GaN HEMT能带工程与界面调制的研究进展,南方科技大学电子与电气工程系助理教授化梦媛将分享p型栅GaN基功率器件栅极可靠性及阈值稳定性研究成果。西安电子科技大学周红将分享一种新型侧向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管,其结合浮动金属环和P保护环将实现高击穿电压。

欲知最新研究进展与成果,敬请关注分会,也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流,共商合作事宜。

部分嘉宾简介

吴伟东

吴伟东,“氮化镓功率电子器件”技术分会召集人,加拿大多伦多大学电子与计算机工程系教授。其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺,他尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。1993年,吴教授加入多伦多大学,组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队,他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。并自2009年起担任IEEE电子器件快报的副主编。

 

刘扬

刘扬,“氮化镓功率电子器件”技术分会召集人,中山大学电力电子及控制技术研究所所长、教授。长期从事III族氮化物功率半导体材料与器件研究及产业化推广工作。曾在大尺寸Si衬底GaN异质结构功率半导体材料与增强型器件制备方面取得重要的进展。主持国家重点研发计划课题项目、国家自然科学基金重点项目、广东省重大科技专项等多项项目。

孙钱

孙钱,“氮化镓功率电子器件”技术分会召集人,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所器件部副主任。中国科技大学材料物理和计算机科学与技术双学士(郭沫若校长奖获得者)、美国耶鲁大学博士(耶鲁工学院Becton奖获得者),国家技术发明一等奖获得者。长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与企业的产学研实质性合作,带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术,并在全球率先产业化。2016年成功研制出国际上首支硅衬底GaN基激光器,入选中国光学重要成果和科技部高新技术领域创新进展报告。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划区域重点项目、江苏省重点研发计划项目等。迄今为止,在Nature Photonics、Light: Science & Applications等国际学术期刊上发表了100余篇学术论文,是30余项美国和中国发明专利的发明人

张进成

张进成,“氮化镓功率电子器件”技术分会召集人,西安电子科技大学副校长、教授。宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件,是我国乃至国际上最早开展宽禁带(第三代)半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。获得国家技术发明二等奖2项(排名第一和第二),省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。

张宇昊

张宇昊,美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授,并领导该中心的器件和功率半导体研究。该中心由Fred Lee创立,现得到超过80家公司的资助,拥有电力电子领域基于高校的最大的产业联盟之一。张宇昊研究兴趣包括功率器件、宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件封装、以及电力电子应用。张宇昊已发表文章90余篇,涵盖多个领域(IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等),并有4个已经授权的美国专利。并获得2017年麻省理工学院Microsystems Technology Laboratories最佳博士论文奖、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳论文奖)、2020年IEDM Conference Highlight荣誉、2021年美国National Science Foundation CAREER奖、2021年弗吉尼亚理工优秀助理教授奖。其博士生获得2021 APEC最佳报告奖、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士论文奖等奖项。

LAN WEI

Lan WEI ,加拿大滑铁卢大学副教授,Lan WEI 教授曾在加利福尼亚州的Altera Corporation(现为Intel Corporation的一部分)担任技术人员,并在麻省理工学院的Microsystems Technology Laboratories担任博士后助理。她在基于器件物理的紧凑建模方面拥有丰富的经验,包括为碳纳米管晶体管开发紧凑模型,为硅MOSFET和氮化镓(GaN)晶体管开发MIT虚拟源晶体管紧凑模型。她是行业标准GaN HEMT模型(MVSG_CMC)的联合开发者,该模型由Compact model Coalition和主要主流设计工具(如Keysight的PathWave产品、Cadence的Spectre®、Synopsys的HSPICE®和Silvaco的SmartSpice)批准和支持™). 其研究兴趣还包括器件电路交互设计和优化、集成低维材料的纳米电子系统、用于量子计算的低温CMOS器件建模和电路设计,以及用于高级无线通信和电力电子应用的GaN技术。

胡卫国

胡卫国,中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员,曾任日本三重大学(Mie Univ.)、神户大学(Kobe Univ.)、东北大学(Tohoku Univ.)博士后和助理教授。目前研究方向为半导体材料外延、压电(光)电子器件研制和模拟、以及新能源器件。迄今为止在Science advances、Advanced Materials、ACS Nan、Nano Energy等学术期刊发表论文50余篇,在IEDM等40多个学术会议上报告研究成果。

化梦媛

化梦媛,南方科技大学电子与电气工程系助理教授,致力于宽禁带半导体器件与IC研究,在高端制造工艺、测试表征技术、器件结构设计、可靠性等方面做出一系列原创性和系统性的工作。共发表国际高水平期刊与会议论文90余篇,引用超2000次。成果包括国际电子器件领域的顶级峰会IEEE IEDM论文7篇,电力电子领域旗舰会议IEEE ISPSD论文11篇,器件领域顶级期刊IEEE Electron Device Lett. 15篇,IEEE Trans. Electron Devices 8篇,为国际会议做邀请报告10余次,申请发明专利6项;成果多次选入热点论文,被产业界权威杂志专题报道;获2020年IEEE ICSICT杰出青年科技论文奖;获2017年IEEE ISPSD最佳青年学者奖(年度唯一获奖人);现任国际高水平期刊IEEE Trans. Electron Devices编辑。

更多论坛信息

会议时间:2022年11月7日-10日

会议地点:中国 - 苏州 - 苏州国际博览中心G馆

日程安排

日程安排

注册权益收费表

参会注册价格表

备注:*中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

*IFWS相关会议包括:开幕大会、碳化硅衬底材料生长与加工、射频电子材料与器件、碳化硅功率电子材料与器件、氮化物衬底材料生长与同质外延、超宽禁带半导体材料与器件、固态紫外材料与器件、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、闭幕大会。

*SSLCHINA相关会议包括:开幕大会、固态紫外材料与器件、半导体照明材料与封装模组、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、生物农业光照技术、半导体激光器与光通信、教育照明与健康光环境、光医疗与健康、闭幕大会。

*产业峰会包括:生物农业光照技术与产业应用峰会、生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除一定的退款手续费。

*自助餐包含:11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

论坛线上注册平台

IFWS&SSLCHINA 2022在线注册通道

IFWS&SSLCHINA 2022在线注册通道

*备注:请微信扫码查看并注册,注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。

论文重要期限及提交方式
目前论坛征文已经进入全文提交阶段,论文全文提交截止:2022年10月15日,作者提交论文扩展摘要(Extended Abstract)及全文,请提交至邮箱 papersubmission@china-led.net 。
点击查看征文详情:SCI期刊+IEEE EI收录-IFWS&SSLCHINA 2022 论文全文征集中!
注:1)官方网站(http://www.sslchina.org或www.ifws.org.cn)提供模板下载,请作者务必按照相应模板和时间要求准备材料,以便顺利通过论文审核。
2) 投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,优秀文章经程序委员会初评后可推荐在Semiconductor Science and Technology (SST)上发表。IEEE是EI检索系统的合作数据库,SST是SCI期刊。 
 
联系方式
论文征集:
白老师
电话:010-82387600-602
邮箱:papersubmission@china-led.net
 
商务合作(赞助/参展):
张女士(ViVi)
电话:13681329411
邮箱:zhangww@casmita.com
 
贾先生(Frank)
电话:18310277858
邮箱:jiaxl@casmita.com

酒店推荐

​特别提醒:因论坛同期有很多展会举办,苏州国际博览中心附近酒店客房预定十分紧俏,越是提前预定酒店价格越划算,请参会代表根据自己行程提前预定论坛期间​酒店房间。

酒店

房型

房价

早餐

联系人

苏州洲际酒店

城景标准间、大床房

 950

含两份早餐

经理

13656230547

金鸡湖景大床房

1180

1-2份早餐

金鸡湖景双床房

1180

含两份早餐

苏州文博诺富特酒店

高级单人房

750

含一份早餐

鲁经理

18262020468

高级双人房

820

含两份早餐

豪华单人房

850

含一份早餐

豪华双人房

920

含两份早餐

柏颐酒店(苏州金鸡湖国际博览中心店)

大床房

448

含早餐

客人报半导体会议(阮经理)

0512-62650999

标间房

豪华大床

488

含早餐

豪华标间

汉庭酒店(苏州国际博览中心店)

 

550左右

 

0512-62382666

备注:以上酒店仅为推荐酒店,客人报“11月7-10日半导体会议”预定房间可以享受一定优惠,不过酒店房间价格会根据住房人数增长会有一定上浮,具体请以当日酒店价格为准​。同时,苏州国际博览中心附近交通也十分方便,展会期间酒店价格均会上浮不过各种价位酒店都很多,根据自身预算通过携程/同程等APP在线预定心怡的酒店​。越是提前预定酒店,价格越划算!

 

打赏
联系客服 投诉反馈  顶部