早在2017年，纳微便发布了业界首款集成半桥氮化镓功率芯片NV6250，截至目前，纳微已在该技术方向下申请了103件专利。
图1(a)-(b)中分别展示了这103件专利的申请趋势和申请国家或地区，从图中可以看到纳微在半桥氮化镓功率芯片方向上所申请的专利量从2015年一开始便达到了最高的33件，经分析发现，此后的专利申请大多是这些早期专利的后续同族专利。
（a）申请趋势
（b）申请国家或地区
图1
通过进一步分析上述这些专利发现，纳微的专利布局具有以下特点：
1.同族专利多
其中，共计86件专利要求了在先的优先权，占比约83.5%，这也使得其大部分专利都具有多个同族专利。具有代表性的包括，以US62127725作为优先权的专利共计40个；以US62051160作为优先权的专利共计38个（与前者具有部分重叠）。这种方式一方面可以使得后续的专利具有更早的优先权，另一方面也有利于增加专利之间的关联度，其形成组合式专利保护。
例如，在这103件专利中，有83件都采用下图中所示的半桥结构图，表明这些专利都可应用到相同的半桥架构中。
图2
2.专利质量较高
从图3中可以看到，目前纳微在半桥氮化镓功率芯片方向上的专利已授权76件，除去世界知识产权局WO的8件PCT专利之外，其授权率高达约80%，目前仅有3件专利处于失效状态。
图3
此外，这些专利中，权利要求项数大于20项的共计70件，且大部分具有超过两项的独立权利要求；在说明书方面，页数在50页以上的共计73件，其中有17件更是达到了100页以上。以上内容说明纳微专利的保护层次较多更全面，整体说明书内容详细丰富，也有利于专利在审查过程中的修改，增加授权率。
3.保护角度全面
如上文中所提到的，在纳微的这些专利中共有83件都采用了图2所示的半桥结构示意图，这些专利通过不同的主题角度对半桥氮化镓功率芯片产品的各个组成部分进行了全面保护，以下以中国同族专利为例进行展示。
在基础架构方面，专利CN110176858B主要对具有低侧功率开关和高侧功率开关的半桥式氮化镓驱动电路的整体架构进行了保护；专利CN107005163B对具有至少一个功率开关的驱动架构进行了保护。
在电路的各个组成元件方面，下表中按最早优先权日的时间顺序进行了展示：
1.最早优先权日：20140820
CN106796930B
具有分布式栅极的功率晶体管
核心保护点的代表附图
