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IFWS 2023│博睿光电梁超：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-12-11 11:02
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
CASAS正式成立SiC/GaN功率器件与模块工作组
 评论 ⋅  2023-12-07 08:43
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
IFWS 2023│碳化功率器件及封装技术分会新提升
 评论 ⋅  2023-11-30 11:22
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
《第三代半导体功率器件产业及标准化蓝皮书》发布
 评论 ⋅  2023-11-29 22:45
IFWS 2023│三安半导体技术总监叶念慈：产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能
 评论 ⋅  2023-11-29 19:45
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华：750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:43
IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大学教授陈敬：面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术
 评论 ⋅  2023-11-29 11:25
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本
 评论 ⋅  2023-11-29 09:39
IFWS 2023前瞻│碳化功率器件及其封装技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-19 16:50
IFWS 2023前瞻│氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-18 17:35
IFWS 2023前瞻│氮化镓射频电子器件技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-14 18:16
矽力杰获批宽禁带功率器件与应用浙江省工程研究中心
 评论 ⋅  2023-11-14 16:29
性能位居前列！ 芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
 评论 ⋅  2023-11-13 10:33
致能科技首发1200V 高可靠性氮化镓器件平台
 评论 ⋅  2023-11-10 19:43
捷捷微电：南通半导体6英寸项目已于三季度投产 达产后预计可形成6英寸晶圆100万片/年及100亿只/年功率半导体封测器件的产业化能力
 评论 ⋅  2023-10-31 15:39
碳化硅供需紧缺，晶圆、功率器件头部上市公司加速布局
 评论 ⋅  2023-10-27 17:33
我国推进大功率电力器件发展 功率半导体行业向好
 评论 ⋅  2023-10-26 15:27
国星光电SiC-MOSFET器件获得车规级认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
 评论 ⋅  2023-10-24 10:30
干勇院士：半导体器件是金刚石重点发展领域
 评论 ⋅  2023-10-20 15:07
乂易半导体11亿功率器件项目签约徐州
 评论 ⋅  2023-10-18 14:53
十六位嘉宾精彩分享 2023化合物半导体器件与封装技术论坛深圳收官
 评论 ⋅  2023-10-13 14:41
2023化合物半导体器件与封装技术论坛深圳举行
 评论 ⋅  2023-10-12 15:33
长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装解决方案
 评论 ⋅  2023-10-08 14:32
长晶科技获批建设“江苏省功率器件工程技术研究中心”
 评论 ⋅  2023-10-07 16:47
CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光电副总经理梁超博士：面向高功率器件的超高导热AlN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-09-28 13:45
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