摩珂达SiC功率器件及电子产品制造项目签约

日期:2024-04-01 阅读:345
核心提示:3月27日,浙江省嘉兴国家高新区(高照街道)一季度重大项目集中签约仪式举行。活动现场,2个总投资超50亿元的瓷新半导体材料总部

3月27日,浙江省嘉兴国家高新区(高照街道)一季度重大项目集中签约仪式举行。活动现场,2个总投资超50亿元的瓷新半导体材料总部项目、摩珂达SiC功率器件及电子产品制造项目完成签约。

值得一提的是,不久前,嘉兴国家高新区还签约另一个SiC项目。今年2月消息,嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约。该项目由晶能微电子与星驱技术团队共同出资设立,重点布局车规SiC半桥模块。该项目总投资约10亿元,投资建设年产90万套SiC半桥模块制造生产线及相关配套,投产后预计实现年产值约12.5亿元。据晶能微电子CEO潘运滨透露,该项目是在去年晶能微电子投资50.17亿元建设晶圆和模块生产线基础上,联合合作伙伴,针对新的市场需求和产品类型做的新一轮扩产投资。

  

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