东微半导申请氮化镓器件及其制造方法专利，提供一种氮化镓器件

 据国家知识产权局公告，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“氮化镓器件及其制造方法“，公开号CN117637832A，申请日期为2022年8月。

专利摘要显示，本发明实施例提供的一种氮化镓器件，包括：衬底层；位于所述衬底层之上的氮基半导体层；在所述氮基半导体层上形成的源电极、漏电极以及位于所述源电极和所述漏电极之间的栅结构，所述栅结构包括：钝化层；位于所述钝化层之上的浮栅，所述浮栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上并与所述氮基半导体层接触形成pn结二极管；位于所述浮栅之上的控制栅，所述控制栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上，所述控制栅通过栅介质层与所述浮栅和所述氮基半导体层隔离。