华为公司申请半导体器件及其制备方法专利,降低半导体器件的功率损耗

日期:2024-03-22 阅读:252
核心提示:据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为半导体器件及其制备方法,公开号CN117747642A,申请日期为2022年9月。专利

 据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“,公开号CN117747642A,申请日期为2022年9月。

专利摘要显示,本申请提供了一种半导体器件及其制备方法,实现了第一电极层与外延层的欧姆接触,减小了欧姆接触的接触电阻率,有助于减小半导体器件的导通电阻,进而降低半导体器件的功率损耗。半导体器件可以包括外延层、掺杂层、介质层和第一电极层。其中,外延层和介质层层叠设置。半导体器件设有第一凹槽,掺杂层和第一电极层的一部分可以层叠设置于第一凹槽内部。

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