华为公司申请半导体器件及其制备方法专利，降低半导体器件的功率损耗

 据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号CN117747642A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，实现了第一电极层与外延层的欧姆接触，减小了欧姆接触的接触电阻率，有助于减小半导体器件的导通电阻，进而降低半导体器件的功率损耗。半导体器件可以包括外延层、掺杂层、介质层和第一电极层。其中，外延层和介质层层叠设置。半导体器件设有第一凹槽，掺杂层和第一电极层的一部分可以层叠设置于第一凹槽内部。