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重磅！2023年度何梁何利基金奖揭晓
何梁何利基金杰出科技工作者2023年度何梁何利基金科学与技术奖
 评论 ⋅  2023-12-22 09:44
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
IFWS 2023│国瑞升苑亚斐：碳化硅衬底材料研磨抛光耗材和工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-20 16:26
IFWS 2023│西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体多芯片封装技术
 评论 ⋅  2023-12-19 11:35
基金委部署集成芯片前沿技术科学基础研究计划
国家自然科学基金委集成芯片前沿技术重大研究计划芯粒
 评论 ⋅  2023-12-18 10:55
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
中科院半导体研究所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
 评论 ⋅  2023-12-15 14:28
IFWS 2023│晶格领域张泽盛：液相法碳化硅单晶生长技术研究
 评论 ⋅  2023-12-15 13:38
全球首颗！我国芯片领域取得重大突破！
芯片，存算一体，忆阻器，人工智能，自动驾驶，光刻胶
 评论 ⋅  2023-12-15 11:08
国产碳化硅半导体材料企业的进阶样本 天岳先进宗艳民：核心技术掌控在自己手中
碳化硅，天岳先进，800V碳化硅，衬底，晶体，宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-12-15 10:57
国星光电子公司风华芯电三项产品荣获“2023年广东省名优高新技术产品”称号
 评论 ⋅  2023-12-12 15:47
IFWS 2023│日本大阪大学陈传彤：SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
 评论 ⋅  2023-12-12 14:17
IFWS 2023│南京大学修向前：基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-07 15:51
SSLCHINA2023│厦门大学黄凯：显示用Micro-LED芯片与集成技术新进展
 评论 ⋅  2023-12-07 14:33
SSLCHINA2023│芯颖显示谢相伟：Micro-LED显示关键技术突破
 评论 ⋅  2023-12-07 11:23
SSLCHINA2023│长虹电子陈宁:Micro LED新型投影显示技术展望
 评论 ⋅  2023-12-07 11:21
SSLCHINA2023│国星光电研究院赵龙：Micro LED显示技术及其产业化应用趋势
 评论 ⋅  2023-12-07 10:22
SSLCHINA2023│三安光电何安和：Micro-LED微显示芯片技术发展与挑战
 评论 ⋅  2023-12-06 11:45
SSLCHINA2023│纳微朗科技闫春辉：低蓝害低碳康视康律全光谱半导体照明技术
 评论 ⋅  2023-12-05 15:55
技术引领，天岳先进打造碳化硅半导体智慧工厂
 评论 ⋅  2023-12-05 15:17
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
 评论 ⋅  2023-12-05 15:05
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
 评论 ⋅  2023-12-04 21:22
IFWS 2023│清软微视周继乐：化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术
 评论 ⋅  2023-12-04 15:13
IFWS 2023│化合物半导体激光器与异质集成技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 11:35
IFWS 2023│碳化功率器件及封装技术分会新提升
 评论 ⋅  2023-11-30 11:22
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
IFWS 2023│三安半导体技术总监叶念慈：产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能
 评论 ⋅  2023-11-29 19:45
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