世纪金芯宣布实现了8英寸SiC关键技术突破!

日期:2024-04-15 阅读:450
核心提示:​4月9日,世纪金芯宣布他们实现了8英寸SiC关键技术突破!合肥世纪金芯半导体有限公司基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多

 ​4月9日,世纪金芯宣布他们实现了8英寸SiC关键技术突破!

合肥世纪金芯半导体有限公司基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累,突破了8英寸SiC关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2024年2月,世纪金芯半导体8英寸SiC加工线正式贯通并进入小批量生产阶段,在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。

1、模拟优化,减少研究成本,获得预期的温场情况

  世纪金芯公司采用模拟软件,首先对坩埚、保温层和加热器等组成的热场进行模拟计算,营造符合实际生长过程的温度和温度梯度。并通过多次优化数据库参数,准确反映出温场及余料情况,生长晶体的4H-SiC晶型稳定性在90%以上。同时,合理的温度梯度降低了晶体的凸度,有效降低了晶体开裂风险,提高了原料利用率和晶体出片数量。

2、设计实验,验证生长晶体预期,获得可重复性参数

     世纪金芯基于6英寸晶体研发生产经验,结合8英寸晶体生长的热场结构设计及工艺特性,在高稳定性长晶炉的基础上,公司采取了独特的保温设计和先进的热场分区结构,开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术,逐步减少生长温度、时间、气压、功率等参数变化量,获得可重复性稳定参数,大幅提升了长晶的稳定性、重现性。突破了大尺寸、低应力等碳化硅晶体制备关键技术。

3、不断开发新结构、新技术,获得低缺陷单晶

世纪金芯公司掌握多种自研结构及技术,包括籽晶预处理粘接、低应力生长结构设计及工艺等,为8英寸晶体量产打下了重要基础。采用籽晶迭代优化的方式,进一步降低了位错缺陷密度,通过设计不同过滤层及多段温度调控,对碳包裹物起到抑制作用,有效减少了包裹引起的一系列缺陷。

世纪金芯公司开发的8寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。8寸加工线也同步建成,将配套8寸单晶生长。通过进一步优化工艺,预期公司的8寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。

 
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