中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型氮化镓PN结实现双通道加密光通信应用

日期:2024-03-11 阅读:450
核心提示:该研究提出的双极性器件架构为操纵载流子动态、开发未来传感、通信和成像系统中的多功能光电子设备提供了可行途径。

 半导体p-n结二极管是构建光电器件的基本单元之一。然而,传统p-n结二极管在某种程度上受到电流整流行为的限制,这使得载流子的调控性受到影响,限制了器件的功能和应用,因此需要对其进行重新配置。为了克服这一挑战,研究人员报告了一种简便的方法,利用GaN基半导体p-n同质结纳米线阵列构建了双极结光电极,展示了由不同光波长控制的双极光响应。通过理论模拟引导,在纯净纳米线的基础上修饰钌氧化物(RuOx)层,所得光电极的正光电流和负光电流分别提高了775%和3000%。钌氧化物层优化了纳米线表面的势垒弯曲,有助于促进GaN/电解质界面的电荷转移,同时提高了氢气和氧气的还原氧化反应效率,从而同时优化正负光电流。最后,他们构建了一个双通道光通信系统,利用仅需一个光电极即可解码具有加密属性的双波段信号。提出的双极性器件架构为操纵载流子动态、开发未来传感、通信和成像系统中的多功能光电子设备提供了可行途径。

该成果发表以“Light-Induced Bipolar Photoresponse with Amplified Photocurrents in an Electrolyte-Assisted Bipolar p–n Junction” 为题,以“Frontispiece”封面插图形式发表于Advanced Materials (Advanced Materials 2023, 35, 2300911)。中国科学技术大学方师博士为论文的第一作者,孙海定教授为论文的通讯作者。该工作得到了国家自然科学基金、中央高校基本科研业务费专项资金、中国科学院国际项目等多个项目的支持。

论文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202300911 

论文引用:Fang Shi, Haiding Sun* et al. "Light‐Induced Bipolar Photoresponse with Amplified Photocurrents in an Electrolyte‐Assisted Bipolar p–n Junction." Advanced Materials 35, no. 28 2300911 (2023)

 

图1 双极光响应的工作原理

 

图2 器件双极光响应的表征

图3 双通道加密光通信应用演示

 

图4: Advanced Materials以Frontispiece形式报道研究成果 

 

方师

第一作者简介:方师博士毕业于中国科学技术大学,主要研究领域为半导体材料与光电子器件。以第一作者在Nature Communications、Advanced Materials、Light: Science & Applications、Advanced Functional Materials、Nano Letters等期刊发表多篇论文并获得中国科学院院长奖。

 孙海定

通讯作者简介:孙海定,教授/博导,国家优青,安徽省杰青,中科院海外高层次人才。长期致力于氮化镓(GaN)半导体材料外延、紫外光电器件和HEMT电子器件设计与制备研究。研究成果被半导体权威杂志《Compound Semiconductor》、《Semiconductor Today》等多次封面报道10余次。目前担任多个国际期刊如IEEE Photonics Technology Letters、半导体学报Journal of Semiconductor副主编以及CLEO/IEEE IPC等多个国际光电子领域会议委员。同时入选iCAX Young Scientist Award和2021年度 IAAM Young Scientist Medal等国际青年科学家奖项。以项目负责人主持国家重点研发计划,国家自然科学基金,中科院国际合作和省部级项目等。

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