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中国5年计划让芯片基础材料站稳脚跟！碳化硅SiC功率器件市场规模未来3年迅猛扩张
芯片基础材料碳化硅SiC功率器件
 评论 ⋅  2021-12-29 09:50
正式启动！2022(第二届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛
 评论 ⋅  2021-12-28 15:03
Novel Crystal Technology宣布开发出世界第一款安培级1200 V耐压的“氧化镓肖特基势垒二极管”
 评论 ⋅  2021-12-27 18:21
格力等投资成立半导体产投基金合伙企业
 评论 ⋅  2021-12-27 14:55
复旦大学袁泽兴：基于玻璃封装高稳定钙钛矿纳米晶色转换材料的高速水下无线光通信
 评论 ⋅  2021-12-27 14:37
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔：基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:14
基于氮化镓业务发展的考虑 赛微电子(300456.SZ)拟转让聚能国际24.5%股权
氮化镓业务发展赛微电子聚能国际
 评论 ⋅  2021-12-22 16:52
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
联盟积极对接院校机构 共建产教融合基地
 评论 ⋅  2021-12-20 09:56
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
美国Analog设备张薇葭：基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
 评论 ⋅  2021-12-13 18:14
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
西安电子科技大学王婷婷：基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:44
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
郑州大学Mussaab I. Niass：蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:04
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
复旦大学张园览：基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究
复旦大学张园览高效碳化硅结势垒肖特基二极管
 评论 ⋅  2021-12-10 12:10
晶湛半导体总部大楼正式奠基，标志着氮化镓外延材料产业化基地正式启航
晶湛半导体总部大楼奠基氮化镓外延材料产业化基地
 评论 ⋅  2021-12-02 17:02
大基金二期33.95亿投资中芯深圳
 评论 ⋅  2021-11-24 15:05
IFWS 2021前瞻：中国电科首席科学家冯志红将出席射频电子器件与应用论坛
氮化镓肖特基二极管太赫兹倍频器冯志红中国电科
 评论 ⋅  2021-11-22 16:04
IFWS 2021前瞻：中科院半导体研究所副所长张韵将出席射频电子器件与应用论坛
中科院半导体研究所副所长张韵亚毫米波段GaN基HEMT
 评论 ⋅  2021-11-22 15:53
阿基米德半导体获3亿元天使轮融资，将落地合肥建SiC/IGBT产线
 评论 ⋅  2021-11-16 20:20
华虹虹芯基金正式发起成立 将聚焦半导体产业链投资
 评论 ⋅  2021-11-15 11:34
工信部等四部门：鼓励国家集成电路产业投资基金等加大对工业绿色发展重点领域投资力度
 评论 ⋅  2021-11-09 14:13
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