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无锡诞生全球最薄半导体GaN晶体，厚度突破1厘米！
 评论 ⋅  2021-12-16 22:19
芯聚能总裁周晓阳：碳化硅应用于新能源汽车电机电控系统的挑战与优化思路
 评论 ⋅  2021-12-16 22:03
广东芯聚能周晓阳：SiC应用于新能源汽车电驱电控系统的挑战与优化思路
 评论 ⋅  2021-12-16 17:52
华东光电集成器件研究所展明浩：MEMS传感器发展现状及在自动驾驶中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:49
上海瞻芯电子杨义：SiC MOSFET多管并联均流驱动技术探讨
 评论 ⋅  2021-12-16 17:46
北京一径科技邵嘉平：MEMS LiDAR将主导未来车载激光雷达商业化落地
 评论 ⋅  2021-12-16 17:44
浙江老鹰半导体莫庆伟：VCSEL技术发展及其在智能感测与汽车雷达中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:40
广东晶科电子何贵平：车规LED技术进阶及新产品形态
 评论 ⋅  2021-12-16 17:38
上海电驱动电控研究院院长陈雷：功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:33
应用进行时 车用半导体创新合作峰会成功召开
 评论 ⋅  2021-12-16 16:55
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
南京电子器件研究所张凯：大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
 评论 ⋅  2021-12-14 14:46
西安电子科技大学刘志宏：面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-12-14 14:44
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
IFWS2021：射频电子器件与应用论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-14 14:29
美国Analog设备张薇葭：基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
 评论 ⋅  2021-12-13 18:14
关于国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度公开指南项目安排公示的通知
 评论 ⋅  2021-12-13 17:12
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
西安电子科技大学王婷婷：基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:44
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
最新进展分享 氮化镓功率电子器件论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-13 11:24
八位嘉宾前沿报告分享！ 半导体照明芯片、封装、模组及可靠性论坛圆满召开
半导体照明芯片封装模组可靠性
 评论 ⋅  2021-12-11 18:23
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