氮化镓外延领军企业晶湛半导体完成数亿元战略融资,由歌尔股份领投

日期:2022-03-03 阅读:1249
核心提示:苏州晶湛半导体有限公司(晶湛半导体)宣布完成B+轮数亿元战略融资。
   半导体产业网消息:近日,苏州晶湛半导体有限公司(“晶湛半导体”)宣布完成B+轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子(歌尔股份002241.SZ 控股子公司)领投,高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投,老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。
 
 
  晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办,坐落于苏州市工业园区,拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地,致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案,也是目前国际上唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商,技术实力处于国际领先地位。
 
  据了解,晶湛半导体在发展过程中,在业内创造过多项第一。2014年底,晶湛半导体就率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品,经有关下游客户验证,该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能,填补了国内氮化镓产业的空白。2021年9月,晶湛半导体又成功全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片,赢得了业内广泛关注。经过多年的专注发展,晶湛半导体已经成为国内GaN材料研发和产业化的领军企业,通过与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作,多次在行业顶级期刊Nature Electronics,IEEE Electron DeviceLetters,及国际顶级会议IEDM等发布相关创新成果,引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。
 
  晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作,在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权,晶湛半导体目前已在国内外累计申请近400项专利,其中已获得超100项专利授权。公司还先后荣获苏州市技术发明一等奖、苏州工业园区专利授权十佳企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市优秀专利奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、苏州市企业工程技术研究中心等一系列资质和荣誉。
 
  近年来,在国家“十四五”规划、“碳达峰碳中和”等重磅利好政策的指导下,在移动手机快充、新能源汽车、下一代移动通信、“元宇宙”和新型显示等市场创新应用的持续推动下,氮化镓迎来了高速发展的历史机遇期,已成为半导体产业的明日之星。本次B+轮战略融资将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设,项目达产后晶湛半导体将建成国际一流、国内首屈一指的氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地,推动晶湛半导体进入新的发展阶段。
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