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清溢光电:已实现180nm工艺节点
半导
体芯片掩膜版的量产
中国科学院
半导
体研究所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
首个由石墨烯制成的功能
半导
体问世 电子迁移率是硅的10倍
石墨烯芯片制造领域,重要里程碑→
碳化硅
超高迁移率
半导体
外延
石墨烯
新进展!西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石
半导体
MPCVD
异质外延
2英寸
量产
厦门大学林楷强教授团队在二维
半导
体材料的激子研究方面取得新进展
北京大学申请
半导
体器件结构专利
中科院
半导
体研究所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
国际首次!南大团队将二维
半导
体集成电路推向千兆赫兹
镓和
半导
体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸(100)面单晶衬底参数
中国科学院
半导
体研究所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
复旦大学李自清青年副研究员、方晓生教授:低维宽禁带
半导
体紫外光探测器
复旦大学课题组在Nature Reviews Materials期刊发表低维宽禁带
半导
体用于紫外光探测器的研究综述
孙东明:攻克“卡脖子”难题实现
半导
体控温芯片自主可控
我国
半导
体量子计算芯片封装技术进入全新阶段
实现生成式AI的关键
半导
体技术
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带
半导
体氧化镓功率器件领域取得研究进展
重大进展!中国团队成功实现12英寸二维
半导
体晶圆批量制备技术
复旦大学微电子学院杨迎国等在钙钛矿
半导
体光电器件研究方面取得进展
国外研发
半导
体和超导体混合材料
厦门大学张洪良团队在氧化镓
半导
体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
北大许福军、沈波团队在氮化物
半导
体大失配外延研究上取得突破性进展
中科院
半导
体所在硅基外延量子点激光器研究取得进展
半导
体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学
III族氮化物
外延层薄膜
宽禁带半导体
Chiplet成
半导
体性能提升重要路径
简述
半导
体工艺与制造装备技术发展趋势
厦门大学张洪良团队在宽禁带氧化镓
半导
体掺杂电子结构研究取得进展
中国
半导
体十大研究进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
简述激光在碳化硅
半导
体晶圆制程中的应用
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