CASA联盟标准获评2025年北京市高质量团体标准
 评论 ⋅  2025-10-16 17:15
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|西安电子科技大学任泽阳：金刚石表面终端电导器件和散热应用研究
 评论 ⋅  2025-10-16 15:44
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大学褚智勤：柔性金刚石薄膜
 评论 ⋅  2025-10-16 15:43
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源吕晓峰：功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战
 评论 ⋅  2025-10-16 15:41
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大学王嘉：通过镁插层增强氮化镓中的P型掺杂、接触性能和器件性能
 评论 ⋅  2025-10-16 11:43
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新兴纤锌矿氮化物铁电半导体材料与器件
 评论 ⋅  2025-10-16 11:42
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英飞凌宋清亮：基于英飞凌GaN晶体管的高压直流中间总线变换器的参考设计
 评论 ⋅  2025-10-16 11:35
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大学鞠光旭：基于同步辐射X射线的OMVPE条件下 (In)GaN生长动力学原位研究
 评论 ⋅  2025-10-16 11:34
我国新型智能穿戴产品总量突破18.1万种
 评论 ⋅  2025-10-15 17:34
南京大学晶圆缺陷检测设备公开招标公告（第三次）
 评论 ⋅  2025-10-15 17:30
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大连理工大学黄火林：氮化镓高压增强型功率器件与可靠性技术进展
 评论 ⋅  2025-10-15 15:17
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：GaN功率电子器件动态性能提升与抗辐照加固技术
 评论 ⋅  2025-10-15 10:41
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山东大学刘超：垂直氮化物功率器件
 评论 ⋅  2025-10-15 10:25
荷兰冻结安世半导体资产 中国商务部实施出口管制
 评论 ⋅  2025-10-14 18:36
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|台湾阳明交通大学郭浩中：GaN基UVC和Micro LED技术最新进展
 评论 ⋅  2025-10-14 16:46
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大学教授Satoshi Kamiyama：GaN纳米线和GaInN基多量子壳晶体生长和光子器件应用
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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大学Anders GUSTASFSSON：用于RGB显示器的微米级InGaN发光二极管高光谱阴极发光成像研究
 评论 ⋅  2025-10-14 16:43
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大学张宇昊：GaN功率器件应用的稳定性、可靠性和鲁棒性
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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大学西澤伸一：绿色社会时代下的SiC材料技术
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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韩国东义大学WON-JAE LEE：SiC晶体高质量、低成本体生长研究进展
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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波兰科学院高压物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二极管-挑战和解决方案
 评论 ⋅  2025-10-14 10:49
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|三重大学Hideto Miyake：面对面退火溅射沉积AlN模板上DH结构的UVC LED
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宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室2025年度开放课题申请指南
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荷兰冻结闻泰科技巨额资产！外交部回应！
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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑联邦理工学院Elison Matioli：迈向高性能GaN功率器件-新兴解决方案和创新
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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|爱尔兰丁达尔国家研究所李智：通过微转印实现微型LED的高级集成
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宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室2025年度开放课题申请指南
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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大学特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模拟的垂直GaN MOSFET性能预测和损耗分析
 评论 ⋅  2025-10-13 15:56
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中国科学技术大学孙海定：基于Ⅲ族氮化物的微型紫外光谱成像仪
 评论 ⋅  2025-10-13 15:46
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本国立物质材料研究所廖梅勇：n型沟道金刚石MOSFET的演示
 评论 ⋅  2025-10-13 15:31
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