商务部新闻发言人就中美日内瓦经贸会谈联合声明发表谈话
 评论 ⋅  2025-05-12 17:26
CSPSD 2025前瞻|镓和半导体董事长唐为华将做大会报告
 评论 ⋅  2025-05-12 15:57
中美日内瓦经贸会谈联合声明
 评论 ⋅  2025-05-12 15:41
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻|山东大学刘超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
 评论 ⋅  2025-05-12 14:56
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学章文通：基于电荷场调制机理的高温高压车规SOI超结BCD技术
 评论 ⋅  2025-05-12 14:40
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻| 氮矽科技罗鹏：集成驱动氮化镓芯片的必要性与发展趋势
 评论 ⋅  2025-05-12 13:41
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件
 评论 ⋅  2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC功率MOSFET产品研制进展
 评论 ⋅  2025-05-12 11:11
CSPSD 2025前瞻|超芯星刘欣宇：破界·赋能·引领——化学气相法碳化硅衬底技术创新开启未来产业新纪元
 评论 ⋅  2025-05-12 11:03
中美达成重要共识，5月12日发布联合声明
 评论 ⋅  2025-05-12 08:32
特朗普：对华关税145%到顶了，要降
 评论 ⋅  2025-05-09 19:16
CSPSD 2025前瞻| 中国科学院上海微系统所程新红：宽禁带半导体3D集成技术
 评论 ⋅  2025-05-09 11:40
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷：GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
 评论 ⋅  2025-05-09 10:36
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
AI驱动产业创新，从材料/器件到EDA/设备的多维探索
 评论 ⋅  2025-05-09 09:26
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
 评论 ⋅  2025-05-08 16:26
CSPSD 2025前瞻|济南大学张春伟：场板技术中的电场调制机制：基于电荷的视角
 评论 ⋅  2025-05-08 10:43
会议通知 | 2025第三代半导体支撑新能源汽车创新发展高峰论坛
 评论 ⋅  2025-05-08 10:35
九峰山实验室2025技术服务体系发布
 评论 ⋅  2025-05-08 09:43
CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜军：P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
 评论 ⋅  2025-05-08 09:40
江南大学成果推介:氮化镓微波功率器件
 评论 ⋅  2025-05-07 17:34
富士胶片计划在印度建设半导体材料工厂
 评论 ⋅  2025-05-07 15:21
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
 评论 ⋅  2025-05-07 15:19
CSPSD 2025前瞻|南京大学叶建东：氧化镓异质结构与器件
 评论 ⋅  2025-05-07 15:06
2025车用功率半导体应用技术培训会将在广州南沙举办
 评论 ⋅  2025-05-07 15:00
CSPSD 2025前瞻|新微半导体王庆宇：氮化镓赋能未来，突破功率极限，开启能效革命
 评论 ⋅  2025-05-07 14:47
CSPSD 2025前瞻|爱发科王鹤鸣：面向功率器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新
 评论 ⋅  2025-05-07 14:38
意见征集 | 北大光电院牵头的异质外延氮化镓外延层厚度测试方法标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-07 11:32
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