2025年11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，北京大学助理教授王平将受邀出席论坛，并带来《新兴纤锌矿氮化物铁电半导体材料与器件》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
王平，北京大学物理学院助理教授，自2023年起任职于此。2017年在北京大学凝聚态物理专业获得博士学位。2018年至2023年间，担任密歇根大学安娜堡分校博士后研究员。其研究方向聚焦于氮化物基宽禁带半导体及新型III-V族铁电半导体的开发。
报告摘要
将钪（Sc）融入传统III族氮化物半导体中，可使其转变为具有可切换极化特性的铁电材料，并显著提升电学、压电及非线性光学性能。这些独特特性与可调谐的超宽禁带特性相结合，使ScAlN成为未来高功率、高频及高温电子器件、声学谐振器与滤波器、微/纳机电系统（MEMS）、神经形态计算及边缘计算/智能领域最具前景的半导体材料之一。为了提高潜力，研究开发了独特的外延工艺，通过使用等离子体辅助分子束外延技术实现高质量的单晶纤锌矿相ScAlN。在外延生长的ScAlN/GaN异质结构中实现了原子光滑的表面、突变的界面和低杂质密度。此外，将展示完全外延的铁电ScAlN/GaN异质结构，表现出大、稳定和均匀的残余极化和矫顽场。详细的微观分析明确证实，施加的额外电场可以精确地调节ScAlN的生长晶格极性。极性Sc-III-N/III-N异质结构中强大的铁电开关和极化/带隙工程能力，以及硅和GaN技术的完全外延异质集成可能性，为下一代电子和光电子应用铺平了道路。
