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钨触点改善了 GaN 二极管
 评论 ⋅  2021-01-15 10:27
2021起或将全面采用GaN和SiC，化合物半导体起飞！
 评论 ⋅  2021-01-13 09:39
第三代半导体的蓝海市场，玩家几何？
第三代半导体SiCGaN器件电子电力
 评论 ⋅  2021-01-12 09:55
苹果将推出 GaN 电源适配器？
 评论 ⋅  2021-01-07 17:12
第三代半导体氮化镓GaN行业剖析：5G、快充、UVC助力行业潮起
 评论 ⋅  2021-01-04 16:19
士兰微再获补助，赛维电子拟对子公司增资，都因为氮化镓（GaN）？
 评论 ⋅  2020-12-30 17:39
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN：原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线
 评论 ⋅  2020-12-23 15:27
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
电子科技大学教授周琦：基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
 评论 ⋅  2020-12-16 18:23
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
西安电子科技大学李杨：用于无线充电和功率传输的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2020-12-11 16:15
南方科技大学汪青：Si基GaN射频器件的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:08
中电化合物半导体唐军：SiC基GaN射频材料热阻研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:01
复旦大学田朋飞：基于GaN的可用于固态照明、显示和双向可见光通信的多功能器件
 评论 ⋅  2020-12-09 18:28
深圳大学刘新科：大面积MoS2-on-GaN范德华异质结的光子器件应用
 评论 ⋅  2020-12-09 15:58
厦门三安光电张中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新进展
 评论 ⋅  2020-12-08 16:09
南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
 评论 ⋅  2020-12-07 16:01
天津工业大学于莉媛：GaN基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
 评论 ⋅  2020-12-03 18:02
美国康奈尔大学Huili Grace XING:GaN电力电子及其基本极限
 评论 ⋅  2020-11-26 17:11
英诺赛科骆薇薇：时代 “芯”机 “GaN”想“GaN”干
 评论 ⋅  2020-11-25 13:34
日本未来五年将斥资8560万美元资助GaN企业
 评论 ⋅  2020-10-23 17:08
2027年全球GaN半导体器件市场规模预计或将达408亿元
 评论 ⋅  2020-10-16 19:07
北京大学教授沈波：AlGaN基深紫外发光材料和器件技术进展
 评论 ⋅  2020-09-18 11:14
提速5G商用化 江苏省攻关“氮化镓（GaN）毫米波功率放大器”芯片！
毫米波功率放大器芯片国家氮化工艺
 评论 ⋅  2020-09-10 02:00
2020年全球GaN充电器市场规模将达23亿元
 评论 ⋅  2020-09-07 17:55
Transphorm推出4 kW模拟控制无桥图腾柱GaN评估板
功率设计氮化电源器件系统
 评论 ⋅  2020-09-03 07:31
2020年Q2的GaN射频器件产品最新进展
 评论 ⋅  2020-09-01 16:29
Transphorm的第二款900 V GaN FET现已投入生产
功率氮化器件晶体管伊利诺伊封装
 评论 ⋅  2020-08-19 05:52
GaN器件的直接驱动配置
开关拓扑晶体管器件损耗更佳
 评论 ⋅  2020-08-04 01:37
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