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CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森:高可靠GaN基MIS-HEMT
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器件与集成
标准 |“GaN HEMT DHTOL、
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器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
丹佛斯南京
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模块园区正式启用 总投资超8亿元
纳微半导体推出全新SiCPAK™
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模块
九峰山实验室推氧化镓科研级
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单管及coupon to wafer流片平台
重庆万国半导体申请沟槽型
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半导体器件及其制备方法专利,提高开关速度与线性区能力
捷捷微电:6英寸
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半导体项目正处于产能爬坡期,月产出已达5万片
总投资5100余万 芯盟高等级
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半导体厂房竣工
三安半导体“碳化硅
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器件的制备方法及其碳化硅
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器件”专利公布
2025JFSC平行论坛5丨
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电子技术,精彩议题抢先看
MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章:下一代
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器件的GaN-on-diamond技术
意法半导体推出完整的低压高
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电机控制参考设计
英飞凌科技申请
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半导体器件相关专利,提升
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半导体器件性能
纳微与兆易创新达成战略合作,打造智能、高效、高
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密度的数字电源解决方案
士兰微基于第Ⅳ代SiC芯片的
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模块预计将于2025年上量
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC
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器件短路保护的智能
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模块专利,短路保护精度和效率更高
中微创芯突破 “卡脖子” 技术!国产化逆导 IGBT
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模块通过科技查新,打破国外垄断!
鲁晶半导体与山东大学共建碳化硅
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器件产学研合作新生态
闻泰科技:公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压
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器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
标准 | “基于感性负载的SiC
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模块老化筛选试验方法”征求意见
华北电力大学压接型IGBT
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循环及性能测试试验平台采购项目公开招标公告
会议通知| 2025
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半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2025)将于5月22-24日在南京召开
超高压碳化硅大
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芯片项目签约
超高压碳化硅大
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芯片项目成功签约!
安森美推出基于碳化硅的智能
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模块以降低能耗和整体系统成本
西电张进成教授等在金刚石高压
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器件领域取得重要进展
新微半导体宣布推出650V E-mode氮化镓
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工艺代工平台
泰克科技张欣:新型
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器件的特性表征 |CASICON重庆站
龙腾半导体8英寸
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半导体项目再获投资
碳化硅技术赋能产业升级! 山大华天亮相2025
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半导体制造及供应链高峰论坛
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