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东南大学牵头起草《分立GaN HEMT
功率
器件动态电阻评估》技术报告征求意见
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT
功率
器件动态电阻评估》技术报告征求意见
金刚石在GaN
功率
放大器热设计中的应用
一种基于基板埋入技术的新型SiC
功率
模块封装及可靠性优化设计方法
自研基于 6 寸碳化硅晶圆的 6.5kV MOSFET
功率
模块测试分析
郝跃院士团队研制出国际最高
功率
优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
一种基于基板埋入技术的SiC
功率
模块封装及可靠性优化设计
汽车
功率
器件的热管理探讨
Wolfspeed :高
功率
应用的可扩展性设计
高
功率
大能量飞秒脉冲激光技术现状和未来发展趋势
浅述IGBT在高
功率
环境中的散热方法
Wolfspeed:SiC
功率
模块最大限度提高有源前端效率
大
功率
芯片研制获突破
碳化硅
功率
器件在车载充电机 OBC中的应用简述
高压大
功率
芯片封装的散热研究与仿真分析
中国科大在氧化镓
功率
电子器件领域取得重要进展
SiC
功率
模块封装技术及展望
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续
功率
2W的GaN基大
功率
紫外激光器
Wolfspeed:新型SBD和MOSFET封装大幅缩减尺寸,提高
功率
密度
SiC模块开启电机驱动器更高
功率
密度
中国半导体
功率
器件 TOP10
6英寸晶圆高
功率
半导体激光芯片量产线
Vicor 在2022底特律国际汽车设计工程展(WCX) 上为 xEV 呈现最高
功率
密度的汽车解决方案
大
功率
半导体技术现状及其进展
碳化硅
功率
器件技术综述与展望
电装SiC
功率
半导体的诞生之路和未来的可能性
国际首次 | β相氧化镓
功率
品质因子国际首次超越SiC理论极限
重庆邮电大学成功研发第三代半导体
功率
芯片
重庆邮电大学
成功研发
第三代
半导体
功率芯片
日企致力于开发
功率
器件应用材料 以减工时
高压大
功率
碳化硅电力电子器件研制进展
高压
大功率
碳化硅
电力电子
器件
研制进展
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