新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
芯
半导体
中国
华为
氮化镓
第三代半导体
半导体产业
光刻机
首页
新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
技术
0
微博
Qzone
微信
大功率芯片研制获突破
日期:2022-07-06
阅读:697
核心提示:近日,由湖北深紫科技有限公司与华中科技大学共建的企校联合创新中心研发团队,成功实现了UVC大功率芯片技术突破,研制出单颗光输出功率140mW以上的大功率芯片。目前该款产品已进入批量供货阶段。
半导体产业网获悉,近日,由湖北深紫科技有限公司与华中科技大学共建的企校联合创新中心研发团队,成功实现了UVC大功率芯片技术突破,研制出单颗光输出功率140mW以上的大功率芯片。目前该款产品已进入批量供货阶段。
据悉,该企校联合创新中心已获得2022年中央引导地方科技发展项目,正在实施“紫外 UVB 与 UVC LED 芯片及其模组的研发和产业化”项目,进一步提升紫外LED芯片量子效率,开发多款紫外LED模组,力争该类芯片性达到国际领先水平。
打赏
0
条评论
美国向SK Siltron CSS提供5.44亿美元贷款
芯片厂商卖珠宝,年赚12个亿
节后碳化硅衬底掀价格战?产业链上市公司回应来了
晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利
日本投入670亿美元欲再造芯片强国
从陕西榆林走出的两位激光“富豪”
4月,武汉见!2024中国国际化合物半导体产业博览会定档!
晶隆半导体材料及器件产业化项目开工
格芯获美政府15亿美元补贴扩产半导体
8英寸SiC和GaN晶圆厂项目签约福建
联系客服
投诉反馈
顶部